Рейтинг@Mail.ru
Российская теннисистка Самсонова вышла во второй круг турнира в Вашингтоне - РИА Новости Спорт, 31.07.2023
Регистрация пройдена успешно!
Пожалуйста, перейдите по ссылке из письма, отправленного на
Обложка для супертега - РИА Новости, 1920, 02.09.2021
Теннис
Российская теннисистка Самсонова вышла во второй круг турнира в Вашингтоне

Российская теннисистка Самсонова победила Коллинз в первом круге турнира в Вашингтоне

© Фото : Пресс-служба турнира Bad Homburg Open Российская теннисистка Людмила Самсонова
Российская теннисистка Людмила Самсонова - РИА Новости, 1920, 31.07.2023
Читать в
МАКСДзен
МОСКВА, 31 июл - РИА Новости. Российская теннисистка Людмила Самсонова пробилась во второй раунд турнира в Вашингтоне, призовой фонд которого составляет более 780 тысяч долларов.
В первом круге Самсонова (8-й номер посева) обыграла американку Даниэль Коллинз со счетом 6:1, 6:3. Теннисистки провели на корте 1 час 13 минут.
Во втором раунде Самсонова сыграет с победительницей матча Сорана Кырстя (Румыния) - Петра Мартич (Хорватия).
Женская теннисная ассоциация (WTA)
Mubadala Citi DC Open
31 июля 2023 • начало в 19:05
Завершен
Людмила Самсонова
2 : 06:16:3
Даниэль Коллинз
Календарь Турнирная таблица История встреч
Автомобиль посла Чехии в РФ Витезслав Пивонька возле здания МИД РФ в Москве - РИА Новости, 1920, 31.07.2023
СМИ: чешская полиция допустила двух россиян к теннисному турниру в Либерце
 
 
Матч-центр
 
Матч-центр
Матч-центр
  • Хоккей
    Закончен в OT
    Ак Барс
    Лада
    3
    2
  • Хоккей
    Завершен
    Амур
    Северсталь
    1
    4
  • Хоккей
    Закончен (Б)
    Адмирал
    ЦСКА
    3
    4
  • Теннис
    Завершен
    Д. Астахова
    М. Линетт
    367
    616
  • Волейбол
    Завершен
    Бельгия
    Чехия
    3
    1
  • Волейбол
    Завершен
    Словения
    Сербия
    3
    0
Перейти ко всем результатам
Лента новостей
0
Сначала новыеСначала старые
loader
Онлайн
Заголовок открываемого материала
Чтобы участвовать в дискуссии,
авторизуйтесь или зарегистрируйтесь
loader
Обсуждения
Заголовок открываемого материала