Рейтинг@Mail.ru
Лавров проводит встречу с кандидатом на пост генсека ООН Мишель Бачелет - РИА Новости, 08.06.2026
Регистрация пройдена успешно!
Пожалуйста, перейдите по ссылке из письма, отправленного на

Лавров проводит встречу с кандидатом на пост генсека ООН Мишель Бачелет

© Фото : МИД РоссииМинистр иностранных дел РФ Сергей Лавров и кандидат на пост генерального секретаря ООН, экс-президент Чили Мишель Бачелет во время встречи в Москве
Министр иностранных дел РФ Сергей Лавров и кандидат на пост генерального секретаря ООН, экс-президент Чили Мишель Бачелет во время встречи в Москве - РИА Новости, 1920, 08.06.2026
Министр иностранных дел РФ Сергей Лавров и кандидат на пост генерального секретаря ООН, экс-президент Чили Мишель Бачелет во время встречи в Москве
Читать ria.ru в
ДзенМАКСTelegram
Краткий пересказ от РИА ИИ
  • Глава МИД России Сергей Лавров проводит встречу с кандидатом на пост генерального секретаря ООН, экс-президентом Чили Мишель Бачелет.
  • Срок нынешнего генсека ООН Антониу Гутерреша на посту истекает 31 декабря.
МОСКВА, 8 июн - РИА Новости. Глава МИД РФ Сергей Лавров в Москве проводит встречу с кандидатом на пост генерального секретаря ООН, экс-президентом Чили Мишель Бачелет, передает корреспондент РИА Новости.
Срок нынешнего генсека ООН Антониу Гутерреша на посту истекает 31 декабря.
Замглавы МИД РФ Александр Алимов на минувшей неделе в беседе с РИА Новости анонсировал визит Бачелет в Россию. Это не первый визит кандидатов на пост генсека ООН. Так, Москву уже посетили гендиректор Международного агентства по атомной энергии (МАГАТЭ) Рафаэль Гросси и глава ЮНКТАД (Конференции ООН по торговле и развитию) Ребека Гринспан. Каждого из них лично принял Лавров.
Генеральный директор МАГАТЭ Рафаэль Гросси - РИА Новости, 1920, 15.03.2026
Гросси считает, что опыт работы в МАГАТЭ помог бы ему стать генсеком ООН
 
 
 
Лента новостей
0
Сначала новыеСначала старые
loader
Онлайн
Заголовок открываемого материала
Чтобы участвовать в дискуссии,
авторизуйтесь или зарегистрируйтесь
loader
Обсуждения
Заголовок открываемого материала