https://ria.ru/20250417/uchenye-2011762833.html
Ученые из Китая разработали флешку с самой быстрой в мире скоростью записи
Ученые из Китая разработали флешку с самой быстрой в мире скоростью записи - РИА Новости, 17.04.2025
Ученые из Китая разработали флешку с самой быстрой в мире скоростью записи
Китайские ученые разработали устройство флеш-памяти с самой быстрой в мире скоростью записи, которая достигает один бит в 400 пикосекунд, передает в четверг... РИА Новости, 17.04.2025
2025-04-17T11:09:00+03:00
2025-04-17T11:09:00+03:00
2025-04-17T11:09:00+03:00
технологии
шанхай
в мире
китай
https://cdnn21.img.ria.ru/images/07e4/06/1e/1573702967_0:100:1920:1180_1920x0_80_0_0_7c257ef295186def5a039589207c9cd6.jpg
https://ria.ru/20250220/kamera-2000446588.html
шанхай
китай
РИА Новости
internet-group@rian.ru
7 495 645-6601
ФГУП МИА «Россия сегодня»
https://xn--c1acbl2abdlkab1og.xn--p1ai/awards/
2025
РИА Новости
internet-group@rian.ru
7 495 645-6601
ФГУП МИА «Россия сегодня»
https://xn--c1acbl2abdlkab1og.xn--p1ai/awards/
Новости
ru-RU
https://ria.ru/docs/about/copyright.html
https://xn--c1acbl2abdlkab1og.xn--p1ai/
РИА Новости
internet-group@rian.ru
7 495 645-6601
ФГУП МИА «Россия сегодня»
https://xn--c1acbl2abdlkab1og.xn--p1ai/awards/
РИА Новости
internet-group@rian.ru
7 495 645-6601
ФГУП МИА «Россия сегодня»
https://xn--c1acbl2abdlkab1og.xn--p1ai/awards/
РИА Новости
internet-group@rian.ru
7 495 645-6601
ФГУП МИА «Россия сегодня»
https://xn--c1acbl2abdlkab1og.xn--p1ai/awards/
технологии, шанхай, в мире, китай
Технологии, Шанхай, В мире, Китай
Ученые из Китая разработали флешку с самой быстрой в мире скоростью записи
Китайские ученые создали устройство с самой быстрой в мире скоростью записи
ПЕКИН, 17 апр - РИА Новости. Китайские ученые разработали устройство флеш-памяти с самой быстрой в мире скоростью записи, которая достигает один бит в 400 пикосекунд, передает в четверг агентство
Синьхуа.
Ранее ученые опубликовали информацию о разработке в журнале Nature.
"Китайская исследовательская группа разработала революционное устройство флеш-памяти, способное сохранять данные со скоростью один бит в 400 пикосекунд, установив новый рекорд для самого быстрого полупроводникового запоминающего устройства", - говорится в сообщении агентства.
Синьхуа отмечает, что группа ученых из Фуданьского университета в
Шанхае разработала двухмерную энергонезависимую флеш-память с графеновым каналом, которая получила название "PoX". Агентство подчеркивает, что "PoX" превосходит даже самые быстрые существующие устройства энергозависимой памяти, которым требуется около одной-10 наносекунд для записи одного бита данных.
Пикосекунда - единица измерения времени, представляющая собой одну триллионную часть секунды.
