Рейтинг@Mail.ru
Первая ракетка мира вышла в четвертый круг US Open - РИА Новости Спорт, 01.09.2023
Регистрация пройдена успешно!
Пожалуйста, перейдите по ссылке из письма, отправленного на
Обложка для супертега - РИА Новости, 1920, 02.09.2021
Теннис
Первая ракетка мира вышла в четвертый круг US Open

Первая ракетка мира полька Ига Швёнтек вышла в четвертый круг US Open

© Фото : Пресс-служба WTA Польская теннисистка Ига Швёнтек
Польская теннисистка Ига Швёнтек - РИА Новости, 1920, 01.09.2023
Читать в
MaxДзен
МОСКВА, 1 сен - РИА Новости. Первая ракетка мира полька Ига Швёнтек пробилась в четвертый круг Открытого чемпионата США по теннису, который проходит в Нью-Йорке.
В матче третьего раунда последнего в сезоне турнира Большого шлема Швёнтек (1-й номер посева) переиграла представительницу Словении Кайю Юван со счетом 6:0, 6:1.
Турниры Большого шлема
US Open WTA
01 сентября 2023 • начало в 20:25
Завершен
Ига Швентек
2 : 06:06:1
Кайя Юван
Календарь Турнирная таблица История встреч
За выход в четвертьфинал действующая победительница US Open поборется с победительницей матча Елена Остапенко (Латвия, 20) - Бернарда Пера (США).
В другом матче чешка Каролина Мухова (10) обыграла американку Тейлор Таунсенд со счетом 7:6 (7:0), 6:3.
Даниил Медведев - РИА Новости, 1920, 01.09.2023
Медведев рассказал, чем его удивил соперник в матче второго круга US Open
 
 
Матч-центр
 
Матч-центр
Матч-центр
  • Хоккей
    Завершен
    СКА
    Салават Юлаев
    4
    0
  • Теннис
    2-й сет
    Д. Медведев
    Ц. Шан
    65
    41
  • Футбол
    16.02 23:00
    Жирона
    Барселона
  • Футбол
    16.02 22:45
    Кальяри
    Лечче
  • Хоккей
    Завершен
    Адмирал
    Амур
    0
    3
  • Теннис
    Завершен
    М. Укидзима
    А. Захарова
    24
    66
  • Теннис
    Завершен
    Е. Остапенко
    А. Калинская
    614
    266
Перейти ко всем результатам
Лента новостей
0
Сначала новыеСначала старые
loader
Онлайн
Заголовок открываемого материала
Чтобы участвовать в дискуссии,
авторизуйтесь или зарегистрируйтесь
loader
Обсуждения
Заголовок открываемого материала