Рейтинг@Mail.ru
Сибирские ученые создали композитный материал для гибкой электроники - РИА Новости, 12.11.2019
Регистрация пройдена успешно!
Пожалуйста, перейдите по ссылке из письма, отправленного на

Сибирские ученые создали композитный материал для гибкой электроники

© Designed by Kai Fu for Yazdani Lab, Princeton UniversityТак художник представил себе взаимодействия электронов внутри сверхпроводящего графена
Так художник представил себе взаимодействия электронов внутри сверхпроводящего графена
Читать ria.ru в
НОВОСИБИРСК, 12 ноя – РИА Новости. Ученые Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова (ИФП СО РАН) создали новый композитный материал, подходящий для создания гибких элементов памяти, сообщает научный институт во вторник.
«
"Исследователи… создали новый материал для мемристоров (резисторов, обладающих памятью): композит из наночастиц оксида ванадия, покрытых фторированным графеном. Разработанные структуры могут использоваться для изготовления элементов памяти гибкой электроники: они выдерживают многочисленные деформации, способны хранить и многократно перезаписывать информацию всего за 30 наносекунд", - говорится в сообщении.
В институте пояснили, что мемристор представляет собой микроэлектронный компонент, изменяющий свое сопротивление в зависимости от протекшего через него электрического заряда. Он может выступать и как быстродействующая ячейка памяти, и как компонент нейроморфных сетей.
Клинические испытания имплантатов из полученных биоматериалов
Ученые создали имплантаты, срастающиеся с натуральной костью
«
"Перед нами стояла задача создать мемристорный материал для гибкой электроники, для этих целей хорошо подходит фторированный графен: он сохраняет стабильность при многократных переключениях, устойчив к изменениям температуры, механическим воздействиям. Однако, его недостатком является небольшая (1-2 порядка) разница токов для открытого и закрытого состояния мемристора. Чтобы решить проблему мы добавляли к фторированному графену материалы, позволяющие увеличить резистивный эффект", - приводятся в сообщении слова младшего научного сотрудника ИФП СО РАН Артема Иванова.
Ученый отметил, что лучший результат показали композитные пленки, состоящие из фторированного графена и наночастиц оксида ванадия - разница между токами в открытом и закрытом состояниях, достигала девяти порядков, что позволяет создать систему из нескольких тысяч мемристоров. Это, с одной стороны, увеличивает емкость памяти, а с другой - дает возможность создавать нейроморфные сети, по принципу работы схожие с человеческим мозгом. Мемристоры из нового композитного материала печатают на 2D принтере. Напечатанные на полимерном материале структуры можно сгибать практически вдвое — проводящие компоненты не пострадают.
"В нашей лаборатории разработана надежная, удобная и воспроизводимая технология получения фторированного графена, которой больше нет нигде в мире. 2D печать, в свою очередь, не требует дорогостоящего оборудования, больших финансовых вложений. Конечно, персональный компьютер напечатать невозможно, но, например, телефоны сейчас стремятся сделать гибкими, как и другие гаджеты: фитнес-браслеты, носимые сенсорные системы для мониторинга состояния здоровья и так далее", - прокомментировала ведущий научный сотрудник института Ирина Антонова. Перезаписать информацию на мемристоры, созданные новосибирскими физиками, можно до миллионов раз за рекордно короткое время, отметили в ИФП СО РАН.
Редактирование генома
Ученые считают ДНК лишь одной из миллиона возможных генетических молекул
 
 
 
Лента новостей
0
Сначала новыеСначала старые
loader
Онлайн
Заголовок открываемого материала
Чтобы участвовать в дискуссии,
авторизуйтесь или зарегистрируйтесь
loader
Обсуждения
Заголовок открываемого материала