В Петербурге открыли памятник Жоресу Алферову

С.-ПЕТЕРБУРГ, 16 апр - РИА Новости. Памятник ученому, лауреату Нобелевской премии по физике Жоресу Алферову открыли во вторник в здании Санкт-Петербургского национального исследовательского Академического университета РАН, сообщили РИА Новости в университете.

Жорес Иванович Алферов скончался в начале марта 2019 года на 89-м году жизни.

"Сегодня состоялось торжественное открытие памятника Жоресу Ивановичу Алферову - лауреату Нобелевской премии, почетному гражданину Санкт-Петербурга, депутату Государственной думы, основателю Академического университета", - сказала собеседница агентства.

Бронзовый памятник был изготовлен в авторской мастерской народного художника СССР Зураба Церетели. Он установлен на небольшом постаменте в холле университета. На церемонии открытия присутствовала вдова ученого, его коллеги, друзья, представители городской администрации.

Жорес Алферов родился 15 марта 1930 года в Витебске. В 1952 году окончил факультет электронной техники Ленинградского электротехнического института имени Ульянова (ныне Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" имени Ульянова (Ленина). С 1953 года Алферов работал в Физико-техническом институте (ФТИ) имени А.Ф. Иоффе инженером, младшим, старшим научным сотрудником, заведующим сектором, заведующим отделом. В 1987–2003 годах занимал пост директора ФТИ, в 2003–2006 годах — председатель ученого совета ФТИ. Занимал пост вице-президента Российской академии наук с 1991 до 2017 года.

С 2002 года он возглавлял Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН. С 2009 года центр был преобразован в Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН, в котором Алферов стал ректором (c 2015 года — Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет РАН).

Жорес Алферов совместно с Гербертом Кремером в 2000 году был удостоен Нобелевской премии по физике за фундаментальные работы, заложившие основы современных информационных технологий посредством создания полупроводниковых гетероструктур, используемых в сверхвысокочастотной и оптической электронике.