Рейтинг@Mail.ru
Шахматист Карякин стал третьим в турнире по рапиду на мемориале Таля - РИА Новости Спорт, 20.07.2022
Регистрация пройдена успешно!
Пожалуйста, перейдите по ссылке из письма, отправленного на

Шахматист Карякин стал третьим в турнире по рапиду на мемориале Таля

Читать в
МАКСДзен
Россиянин Сергей Карякин занял третье место в турнире по быстрым шахматам в рамках мемориала Таля, который проходит в Москве.

МОСКВА, 4 мар - РИА Новости. Россиянин Сергей Карякин занял третье место в турнире по быстрым шахматам в рамках мемориала Таля, который проходит в Москве.

Победу одержал индиец Вишванатан Ананд, в девяти турах набравший шесть очков. По пять баллов в активе азербайджанца Шахрияра Мамедьярова, Карякина и американца Хикару Накамуры. По дополнительным показателям вторым стал Мамедьяров, третьим - Карякин.

В активе израильтянина Бориса Гельфанда и россиянина Александра Грищука по 4,5 очка, у Владимира Крамника и Даниила Дубова (оба - Россия) - по 4, у россиян Петра Свидлера и Яна Непомнящего - по 3,5.

В понедельник состоится вторая часть мемориала Таля - круговой турнир по блицу. К десяти участникам "быстрой" части добавятся россияне Владислав Артемьев, Дмитрий Андрейкин, Владимир Федосеев и Александр Морозевич.

 
 
Матч-центр
 
Матч-центр
Матч-центр
  • Хоккей
    2-й период
    Амур
    Лада
    1
    0
  • Теннис
    1-й сет
    Д. Медведев
    Д. Сврчина
    5
    1
  • Хоккей
    12.10 14:30
    Салават Юлаев
    Нефтехимик
  • Хоккей
    12.10 17:30
    Барыс
    Сибирь
  • Хоккей
    12.10 19:00
    Ак Барс
    Сочи
  • Футбол
    12.10 19:30
    Аталанта
    Венеция
  • Футбол
    12.10 21:45
    Торино
    Удинезе
  • Футбол
    12.10 22:00
    Леванте
    Севилья
  • Футбол
    12.10 22:00
    Ковентри Сити
    Ньюкасл
  • Хоккей
    13.10 03:00
    Миннесота
    Вегас
Перейти ко всем результатам
Лента новостей
0
Сначала новыеСначала старые
loader
Онлайн
Заголовок открываемого материала
Чтобы участвовать в дискуссии,
авторизуйтесь или зарегистрируйтесь
loader
Обсуждения
Заголовок открываемого материала