Рейтинг@Mail.ru
Российские летающие лыжницы стали 3-ми в командных соревнованиях на этапе КМ в Японии - РИА Новости Спорт, 20.01.2018
Регистрация пройдена успешно!
Пожалуйста, перейдите по ссылке из письма, отправленного на

Российские летающие лыжницы стали 3-ми в командных соревнованиях на этапе КМ в Японии

© REUTERS / KAI PFAFFENBACHСофья Тихонова
Софья Тихонова
Читать в
МАКСДзен
Женская сборная России по прыжкам на лыжах с трамплина заняла третье место в командных соревнованиях на этапе Кубка мира в Дзао (Япония).

МОСКВА, 20 янв — РИА Новости. Женская сборная России по прыжкам на лыжах с трамплина заняла третье место в командных соревнованиях на этапе Кубка мира в Дзао (Япония).

Россиянки Анастасия Баранникова, Александра Кустова, Софья Тихонова, Ирина Аввакумова в сумме набрали 696,1 балла.

Победу одержала сборная Японии (761,7 очка). Второе место заняла команда Словении (706,8).

Этап в Дзао завершится в воскресенье личными соревнованиями летающих лыжниц.

 
 
Матч-центр
 
Матч-центр
Матч-центр
  • Футбол
    Завершен
    Зенит
    Ахмат
    3
    2
  • Хоккей
    Закончен (Б)
    Авангард
    Трактор
    2
    1
  • Хоккей
    Завершен
    ЦСКА
    Нефтехимик
    4
    1
  • Хоккей
    Завершен
    Металлург Мг
    Автомобилист
    4
    2
  • Футбол
    Завершен
    Динамо Москва
    ЦСКА
    3
    1
  • Хоккей
    Завершен
    Динамо Минск
    Ак Барс
    1
    4
  • Футбол
    Завершен
    Спартак Москва
    Рубин
    4
    0
  • Футбол
    Завершен
    Ноттингем Форрест
    Арсенал
    0
    1
  • Футбол
    Завершен
    Лорьян
    Монако
    1
    0
  • Футбол
    Завершен
    Милан
    Аталанта
    3
    2
  • Футбол
    Завершен
    Ювентус
    Лацио
    0
    3
  • Футбол
    Завершен
    Балтика
    Ростов
    0
    0
  • Футбол
    Завершен
    Реал Мадрид
    Севилья
    4
    1
Перейти ко всем результатам
Лента новостей
0
Сначала новыеСначала старые
loader
Онлайн
Заголовок открываемого материала
Чтобы участвовать в дискуссии,
авторизуйтесь или зарегистрируйтесь
loader
Обсуждения
Заголовок открываемого материала