Рейтинг@Mail.ru
Россиянин Александр Шибаев вышел в 3-й раунд чемпионата мира по настольному теннису - РИА Новости Спорт, 19.08.2026
Регистрация пройдена успешно!
Пожалуйста, перейдите по ссылке из письма, отправленного на

Россиянин Александр Шибаев вышел в 3-й раунд чемпионата мира по настольному теннису

Читать в
МАКСДзен
Россиянин Александр Шибаев пробился в третий раунд чемпионата мира по настольному теннису, который проходит в немецком Дюссельдорфе.

МОСКВА, 1 июн - Р-Спорт. Россиянин Александр Шибаев пробился в третий раунд чемпионата мира по настольному теннису, который проходит в немецком Дюссельдорфе.

Во втором круге россиянин одержал победу над немцем Рикардо Вальтером – 4:2 (7:11, 11:5, 3:11, 11:5, 12:10, 11:7). Следующим соперником Шибаева станет китаец Фань Чжэньдун.

Чемпионат мира в Дюссельдорфе проходит с 29 мая по 5 июня.

 
 
Матч-центр
 
Матч-центр
Матч-центр
  • Хоккей
    Завершен
    Лада
    СКА
    1
    0
  • Футбол
    Завершен
    Рубин
    Оренбург
    1
    4
  • Хоккей
    Завершен
    Северсталь
    Локомотив
    5
    2
  • Футбол
    Завершен
    Юнион Сент-Жиллуаз
    Реал Сосьедад
    1
    1
  • Футбол
    Завершен
    Зальцбург
    Милан
    0
    4
  • Футбол
    Завершен
    Лех
    Байер
    0
    4
  • Футбол
    Завершен
    ЦСКА София
    Монако
    1
    2
  • Футбол
    Завершен
    Родина
    Спартак Москва
    2
    4
  • Футбол
    Завершен
    Сельта
    Ювентус
    1
    2
  • Футбол
    Завершен
    Хоффенхайм
    Бешикташ
    2
    3
  • Футбол
    Завершен
    Ференцварош
    Виктория Пльзень
    2
    1
  • Футбол
    Завершен
    Борнмут
    Штурм
    3
    0
  • Футбол
    Завершен
    Динамо Загреб
    Андерлехт
    1
    0
  • Футбол
    Завершен
    Марсель
    Олимпиакос
    0
    1
  • Футбол
    Завершен
    Бенфика
    Селтик
    4
    1
Перейти ко всем результатам
Лента новостей
0
Сначала новыеСначала старые
loader
Онлайн
Заголовок открываемого материала
Чтобы участвовать в дискуссии,
авторизуйтесь или зарегистрируйтесь
loader
Обсуждения
Заголовок открываемого материала