Рейтинг@Mail.ru
Донской и Гаспарян вышли во 2-й круг квалификации Открытого чемпионата США по теннису - РИА Новости Спорт, 20.08.2026
Регистрация пройдена успешно!
Пожалуйста, перейдите по ссылке из письма, отправленного на
Обложка для супертега
Теннис

Донской и Гаспарян вышли во 2-й круг квалификации Открытого чемпионата США по теннису

Читать в
МАКСДзен
Россияне Евгений Донской и Маргарита Гаспарян преодолели первый круг квалификации Открытого чемпионата США по теннису в мужском и женском одиночных турнирах соответственно.

МОСКВА, 26 авг - Р-Спорт. Россияне Евгений Донской и Маргарита Гаспарян преодолели первый круг квалификации Открытого чемпионата США по теннису в мужском и женском одиночных турнирах соответственно.

Донской в первом круге квалификации одолел голландца Тимо де Баккера со счетом 7:5, 7:5.

Гаспарян в квалификации женского турнира уверенно переиграла соотечественницу Марину Мельникову - 6:1, 6:1.

Донской во втором круге квалификации встретится с белорусом Владимиром Игнатиком, а соперницей Гаспарян станет американка Джессика Пегула.

 
 
Матч-центр
 
Матч-центр
Матч-центр
  • Хоккей
    Завершен
    Амур
    СКА
    2
    3
  • Теннис
    Завершен
    С. Кырстя
    А. Шубладзе
    23
    66
  • Хоккей
    06.11 17:00
    Салават Юлаев
    Автомобилист
  • Хоккей
    06.11 17:00
    Трактор
    Ак Барс
  • Теннис
    06.11 18:20
    А. Захарова
    Л. Стефанини
  • Хоккей
    06.11 18:00
    Лада
    Локомотив
  • Футбол
    06.11 19:30
    Локомотив
    Рубин
  • Хоккей
    06.11 19:30
    Спартак Москва
    Динамо Минск
  • Футбол
    06.11 22:30
    Гамбург
    Боруссия М
  • Футбол
    06.11 22:45
    Венеция
    Удинезе
  • Футбол
    06.11 22:45
    Тулуза
    Страсбур
  • Футбол
    06.11 23:00
    Севилья
    Алавес
  • Футбол
    06.11 23:00
    Эвертон
    Ковентри Сити
Перейти ко всем результатам
Лента новостей
0
Сначала новыеСначала старые
loader
Онлайн
Заголовок открываемого материала
Чтобы участвовать в дискуссии,
авторизуйтесь или зарегистрируйтесь
loader
Обсуждения
Заголовок открываемого материала