Рейтинг@Mail.ru
Веснина встретится с Датэ-Крумм во 2-м круге теннисного турнира в США - РИА Новости Спорт, 19.08.2026
Регистрация пройдена успешно!
Пожалуйста, перейдите по ссылке из письма, отправленного на
Обложка для супертега
Теннис

Веснина встретится с Датэ-Крумм во 2-м круге теннисного турнира в США

Читать в
МАКСДзен
Японская теннисистка Кимико Датэ-Крумм пробилась во второй круг турнира в американском Индиан-Уэллсе, где встретится с россиянкой Еленой Весниной (29-й номер посева).

МОСКВА, 8 мар - Р-Спорт. Японская теннисистка Кимико Датэ-Крумм пробилась во второй круг турнира в американском Индиан-Уэллсе, где встретится с россиянкой Еленой Весниной (29-й номер посева).

В первом круге турнира получившая от организаторов wild-card японка в трех сетах одержала победу над представительницей Казахстана Галиной Воскобоевой - 6:4, 3:6, 6:4. Для того, чтобы выйти в следующую стадию соревнования, Датэ-Крумм потребовалось провести на корте 2 часа и 17 минут. Ранее соперницы между собой не встречались.

Призовой фонд турнира в Индиан-Уэллсе превышает 6 миллионов долларов.

 
 
Матч-центр
 
Матч-центр
Матч-центр
  • Футбол
    Завершен
    Спартак Кострома
    Нефтехимик
    1
    0
  • Футбол
    Завершен
    КАМАЗ
    ФK Челябинск
    1
    1
  • Хоккей
    Завершен
    Лада
    Динамо Минск
    4
    2
  • Футбол
    Завершен
    Шинник
    Урал
    1
    1
  • Хоккей
    Завершен
    Северсталь
    Динамо Москва
    0
    2
  • Футбол
    Завершен
    Торино
    Рома
    0
    2
  • Футбол
    Завершен
    Комо
    Парма
    2
    1
  • Футбол
    Завершен
    Велес
    Сочи
    1
    2
  • Хоккей
    3-й период
    Торпедо НН
    Ак Барс
    3
    1
  • Футбол
    14.09 21:45
    Интер М
    Удинезе
  • Футбол
    14.09 22:00
    Лидс
    Ньюкасл
  • Футбол
    14.09 22:00
    Вильярреал
    Бетис
Перейти ко всем результатам
Лента новостей
0
Сначала новыеСначала старые
loader
Онлайн
Заголовок открываемого материала
Чтобы участвовать в дискуссии,
авторизуйтесь или зарегистрируйтесь
loader
Обсуждения
Заголовок открываемого материала