Регистрация пройдена успешно!
Пожалуйста, перейдите по ссылке из письма, отправленного на

Посольство в Иране опровергло данные о попытке теракта в генконсульстве

Читать ria.ru в
ТЕГЕРАН, 1 авг — РИА Новости. Посольство России в Иране назвало слухами данные о планах одной из организаций, лидера которой задержали иранские силовики, совершить теракт в российском генконсульстве.
"Посольство непроверенные слухи не комментирует", — сказал РИА Новости собеседник агентства.
Иранские полицейские у мавзолея Хомейни в Тегеране. 7 июня 2017
СМИ: Иран арестовал главаря террористов, "поддерживаемых США"
Ранее иранская государственная телерадиокомпания IRIB без указания источника информации сообщила, что организация "Тондар", лидера которой задержали иранские спецслужбы, планировала теракт в генконсульстве России в Реште. Когда планировался теракт, IRIB также не указывает.
Подобная информация появилась после того, как министерство информации (разведки) Ирана сообщило о задержании лидера организации "Тондар" Джамшида Шармахда. По данным ведомства, организация действовала из США и осуществила ряд терактов, планировала и другие операции в Иране.
По данным телерадиокомпании IRIB, в планы организации входил теракт в российском генконсульстве в Реште, однако, отмечает телерадиокомпания, иранские службы безопасности предотвратили эти действия.
Ранее сообщалось, что организация "Тондар" (она же "Шахская ассоциация Ирана"), стоит за взрывом в одной из мечетей в Ширазе в 2008 году, когда погибли не менее 14 человек и порядка 200 получили ранения, а также за другой подрывной деятельностью, направленной против существующего в Иране строя.
"Тондар", называемый Ираном террористической группировкой, выступает за монархический строй в Иране, переставший существовать после Исламской революции 1979 года.
Сотрудник ФСБ
В России за год предотвратили 34 теракта
 
 
 
Лента новостей
0
Сначала новыеСначала старые
loader
Онлайн
Заголовок открываемого материала
Чтобы участвовать в дискуссии
авторизуйтесь или зарегистрируйтесь
loader
Чаты
Заголовок открываемого материала