Рейтинг@Mail.ru
Глава МИД Франции заявил об угрозе возникновения международной анархии - РИА Новости, 12.05.2019
Регистрация пройдена успешно!
Пожалуйста, перейдите по ссылке из письма, отправленного на

Глава МИД Франции заявил об угрозе возникновения международной анархии

© РИА Новости / Кирилл Каллиников | Перейти в медиабанкМинистр иностранных дел Франции Жан-Ив Ле Дриан. Архивное фото
Министр иностранных дел Франции Жан-Ив Ле Дриан. Архивное фото
Министр иностранных дел Франции Жан-Ив Ле Дриан. Архивное фото
Читать ria.ru в
Дзен
МОСКВА, 12 мая — РИА Новости. Министр иностранных дел Франции Жан-Ив Ле Дриан считает, что призывы к конфронтации государств могут привести к международной анархии.
"Некоторые выступают за то, чтобы отношения между государствами больше основывались не на сотрудничестве, а на конфронтации держав. Мы рискуем перейти к некой форме международной анархии", — сказал министр в развернутом интервью газете Parisien.
Он также выделил в отношениях стран два других важных явления, влияющих на международную безопасность.
Ле Дриан отметил, что "главные принципы и основы международной жизни в настоящее время разлетаются на осколки, <...> не уважаются институты, договоры, данные ранее обещания и границы". Вина в этом, по его мнению, лежит на Дональде Трампе, но "Китай и Россия также могут сыграть свою роль в этих нарушениях равновесия".
Бывший директор Службы внешней разведки России Вячеслав Трубников. Архивное фото
Экс-директор СВР назвал самую страшную угрозу человечеству
Он также заявил, что сейчас развиваются формы "гипернасилия, а именно продолжающегося терроризма".
Кроме того, Ле Дриан выразил пожелание, чтобы все стороны соблюдали Совместный всеобъемлющий план действий по иранской ядерной программе, подчеркнув, что "это относится в первую очередь к Ирану", но и "США также несут свою ответственность".
 
 
 
Лента новостей
0
Сначала новыеСначала старые
loader
Онлайн
Заголовок открываемого материала
Чтобы участвовать в дискуссии,
авторизуйтесь или зарегистрируйтесь
loader
Обсуждения
Заголовок открываемого материала