Рейтинг@Mail.ru
Идеи Алферова формировали фундамент технологий будущего, заявил Куйвашев - РИА Новости, 02.03.2019
Регистрация пройдена успешно!
Пожалуйста, перейдите по ссылке из письма, отправленного на
Супертег Наука 2021январь
Наука

Идеи Алферова формировали фундамент технологий будущего, заявил Куйвашев

© РИА Новости / Алексей ДаничевНобелевский лауреат, вице-президент РАН Жорес Алферов
Нобелевский лауреат, вице-президент РАН Жорес Алферов
Нобелевский лауреат, вице-президент РАН Жорес Алферов . Архивное фото
Читать ria.ru в
ЕКАТЕРИНБУРГ, 2 мар – РИА Новости. Идеи Нобелевского лауреата, академика Жореса Алферова всегда опережали время и формировали фундамент для создания технологий будущего, сказал губернатор Свердловской области Евгений Куйвашев.
Нобелевский лауреат академик Жорес Алферов скончался в субботу на 89-м году жизни.
Нобелевский лауреат Жорес Алферов
Нобелевские нанотехнологии: за что мир благодарен академику Алферову
"Ушел из жизни настоящий подвижник и патриот, человек, посвятивший себя науке и обеспечению научно-технологического лидерства России. Его идеи и разработки всегда опережали время и формировали мощный фундамент для дальнейших исследований и создания технологий будущего", – приводит слова губернатора департамент информационной политики Свердловской области.
Как отметил глава региона, Алферов вел активную общественную работу, направленную на развитие образования и повышение авторитета отечественной науки. Алферов был мудрым наставникам для молодежи, вдохновляя ее заниматься научно-исследовательской деятельностью, отметил Куйвашев.
Жорес Алферов. Архивное фото
Биография Жореса Алферова
"Уральцы с особой скорбью переживают эту тяжелую, невосполнимую утрату. Судьба Жореса Алферова тесно связана со Свердловской областью – самые тяжелые для страны военные годы он вместе с родителями прожил в Туринске. Имя ученого с гордостью носит одна из школ города", – добавили в свою очередь в департаменте.
Жорес Алферов родился 15 марта 1930 года в Витебске. Лауреат Нобелевской премии по физике (премия 2000 года за разработку полупроводниковых гетероструктур и создание быстрых опто- и микроэлектронных компонентов). Вице-президент РАН с 1991 до 2017 года.
 
 
 
Лента новостей
0
Сначала новыеСначала старые
loader
Онлайн
Заголовок открываемого материала
Чтобы участвовать в дискуссии,
авторизуйтесь или зарегистрируйтесь
loader
Обсуждения
Заголовок открываемого материала