Рейтинг@Mail.ru
Генералу Чваркову грозит до десяти лет колонии по делу о мошенничестве - РИА Новости, 03.03.2020
Регистрация пройдена успешно!
Пожалуйста, перейдите по ссылке из письма, отправленного на

Генералу Чваркову грозит до десяти лет колонии по делу о мошенничестве

Читать ria.ru в
Дзен
МОСКВА, 21 ноя — РИА Новости. Заместитель начальника Военной академии Генштаба ВС РФ генерал-лейтенант Сергей Чварков отверг обвинения в мошенничестве на 6 миллионов рублей, сообщил РИА Новости его адвокат Павел Лапшов.
Зал судебных заседаний. Архивное фото
Суд приговорил челябинского экс-замгубернатора к 5,5 годам колонии
По статье о мошенничестве в особо крупном размере генералу, ранее возглавлявшему российский Центр примирения враждующих сторон в Сирии, грозит до десяти лет колонии.
Предметом расследования стал госконтракт, заключенный между Военной академией Генштаба и НПО "РусБИТех" — крупной компанией, специализирующейся на создании систем 3D-визуализации, защите информации и других IT-задачах.
"Никаких объективных доказательств следствие не представило. Версия следствия строится на догадках и нелогичных показаниях нескольких человек. Но даже они не говорят, что были свидетелями хищений", — заявил Лапшов.
Наручники. Архивное фото
В Дагестане арестовали чиновника за мошенничество при строительстве дорог
Следствие ведет Главное военное следственное управление СК РФ, которое занимается самыми громкими и крупными преступлениями в среде военнослужащих. Комментарием ведомства РИА Новости пока не располагает.
До службы в Академии Генштаба Чварков возглавлял Главное управление по работе с личным составом ВС РФ РФ, а также Центр примирения враждующих сторон в Сирии. В Академии он курирует научную работу, на лентах информационных агентств за последние два года неоднократно публиковались материалы с научных конференций с его участием.
 
 
 
Лента новостей
0
Сначала новыеСначала старые
loader
Онлайн
Заголовок открываемого материала
Чтобы участвовать в дискуссии,
авторизуйтесь или зарегистрируйтесь
loader
Обсуждения
Заголовок открываемого материала