Регистрация пройдена успешно!
Пожалуйста, перейдите по ссылке из письма, отправленного на
Супертег Наука 2021январь
Наука

Российские ученые испытали новый материал для нейрокомпьютеров

© Иллюстрация РИА Новости . А.ПолянинаТак художник представляет себе работу мемристора, созданного на основе нового материала из эпитаксиальных пленок
Так художник представляет себе работу мемристора, созданного на основе нового материала из эпитаксиальных пленок
Читать ria.ru в

МОСКВА, 31 авг – РИА Новости. Ученые кафедры физики твердого тела и наносистем Института лазерных и плазменных технологий НИЯУ МИФИ в сотрудничестве со специалистами из Института физики твёрдого тела РАН, а также Института проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН предложили новые материалы, в которых может быть реализован биполярный эффект резистивных переключений. Эти материалы могут стать основой для разработки компьютера на основе мемристоров, которые не только хранят, но и обрабатывают информацию подобно нейронам мозга человека. Результаты опубликованы в журнале Materials Letters.

Нейронная сеть в представлении художникаПримитивный «мозг» из ста искусственных нейронов
Инженеры научили мозг из искусственных нейронов распознавать символыГруппа российских и зарубежных компьютерных инженеров собрала примитивный "мозг" из ста искусственных нейронов на базе мемристоров и научила его различать буквы и распознавать изображения.
Исследования этого явления сегодня ведутся во всем мире, причем как в фундаментальной области науки, так и в свете прикладных задач: биполярный эффект резистивных переключений может быть использован для создания энергонезависимых двухтерминальных ячеек памяти, а также мемристора — четвертого фундаментального элемента электроники. Мемристоры могут стать основой для нового подхода к обработке информации, — так называемого мемкомпьютинга.

Мемкомпьютингом называют новый способ обработки информации, когда оперативная память и "долговременная" (жесткий диск) осуществляется одними и теми же элементами, — подобно нейронам головного мозга.

Так художник представляет себе взаимодействия нейронов с мемристорами
Симбиоз мозг — компьютер: первые попытки срастить нейрон с микросхемой
Эффект резистивных переключений проявляется в том, что под действием внешнего электрического поля проводимость материала может меняться на несколько порядков величины. Таким образом, реализуются два метастабильных состояния — высокорезистивное и низкорезистивное. Если характер переключения зависит от направления электрического поля, эффект называется биполярным. Сам физический механизм переключения зависит от типа материала — это может быть образование проводящих каналов за счет миграции ионов металла, формирование барьеров Шоттки, фазовые переходы металл-диэлектрик и другие.

© Е.Емельянова (НИФТИ ННГУ)Мемристивный чип в корпусе, размещенный в стандартном контактирующем устройстве (для тестирования параметров мемристивных наноструктур)
Мемристивный чип в корпусе, размещенный в стандартном контактирующем устройстве (для тестирования параметров мемристивных наноструктур)

В НИЯУ МИФИ ведут поиск новых материалов, в которых может быть реализован биполярный эффект резистивных переключений. Ранее было показано, что он наблюдается в системах с сильными электронными корреляциями, к ним относятся, например, материалы с колоссальным магнетосопротивлением, а также высокотемпературные сверхпроводники.

Ученые за работойМагнитного поле управляет движением электронов в спиновом транзисторе
Ученые из России и Италии собрали нейросеть из пластиковых мемристоровМеждународная группа ученых из Курчатовского института, МФТИ, университета Пармы (Италия), МГУ и СПбГУ создала искусственную нейронную сеть на основе полимерных мемристоров - устройств, которые позволяют построить принципиально новые компьютеры.

В результате научных исследований, ученые остановили свой выбор на эпитаксиальных пленках, которые образуются на поверхности монокристаллической подложки из титаната стронция (эпитаксия — это закономерное  и упорядоченное нарастание одного кристаллического материала на другом). Ученые доказали возможность использования этих пленок для создания мемристоров для компьютеров нового поколения.

 

© НИЯУ МИФИДоцент кафедры физики твердого тела и наносистем НИЯУ МИФИ Андрей Иванов
Доцент кафедры физики твердого тела и наносистем НИЯУ МИФИ Андрей Иванов

"Новизна нашей работы состоит в применении метода литографии, который позволяет разработать технологию миниатюризации элементов резистивной памяти", – прокомментировал доцент кафедры физики твердого тела и наносистем НИЯУ МИФИ Андрей Иванов.

 
 
 
Лента новостей
0
Сначала новыеСначала старые
loader
Онлайн
Заголовок открываемого материала
Чтобы участвовать в дискуссии
авторизуйтесь или зарегистрируйтесь
loader
Чаты
Заголовок открываемого материала