Регистрация пройдена успешно!
Пожалуйста, перейдите по ссылке из письма, отправленного на

Эсминец США вышел на патрулирование близ искусственных островов Китая

© Фото : U.S. Navy photo by Mass Communication Specialist Seaman Edward Guttierrez IIIНа борту эсминца ВМС США
На борту эсминца ВМС США
Военное судно будут сопровождать разведывательные самолеты Р-8А. Миноносец Lassen, как ожидается, пройдет между искусственными островами в архипелаге Спратли.

ВАШИНТГОН, 27 окт — РИА Новости. Американский миноносец Lassen в скором времени войдет в 12-мильную зону искусственных островов Китая и будет оставаться в этом районе в течение нескольких часов, сообщило агентство Рейтер со ссылкой на источник в Пентагоне.

Флаги США и Китая на фоне здания Конгресса США в Вашингтоне. Архивное фото
Китай предостерег США в связи с сообщениями об отправке эсминцаСвобода навигации и пролетов не должна использоваться как оправдание для игры мускулами и подрыва суверенитета и безопасности других стран, заявил официальный представитель Пекина.
По данным агентства, эсминец уже вышел на задание по патрулированию и прошел острова Суби и Мисчиф, входящие в архипелаг Спратли.

Ранее в понедельник Белый дом отказался комментировать информацию о начале патрулирования в пределах 12-ти мильной зоны территориальных вод у искусственных островов КНР.

Как ожидается, миноносец пройдет между искусственными островами в архипелаге Спратли, его будут сопровождать разведывательные самолеты Р-8А.

Посольство КНР в США уже выступило с призывом к Вашингтону "воздержаться от провокационных слов и действий". В сообщении посольства говорилось, что "США должны действовать ответственно в поддержании регионального мира и стабильности".

США в прошлом возражали против строительства Китаем искусственных островов и попыток распространить суверенитет КНР на их 12-мильную зону.

Рекомендуем
Лента новостей
0
Сначала новыеСначала старые
loader
Онлайн
Заголовок открываемого материала
Чтобы участвовать в дискуссии
авторизуйтесь или зарегистрируйтесь
loader
Чаты
Заголовок открываемого материала