Рейтинг@Mail.ru
Теннисистка Радваньская квалифицировалась на итоговый турнир WTA - РИА Новости, 18.10.2015
Регистрация пройдена успешно!
Пожалуйста, перейдите по ссылке из письма, отправленного на

Теннисистка Радваньская квалифицировалась на итоговый турнир WTA

© AP Photo / Ben CurtisПольская профессиональная теннисистка Агнешка Радваньская. Архивное фото
Польская профессиональная теннисистка Агнешка Радваньская. Архивное фото
Читать ria.ru в
Полька Агнешка Радваньская в седьмой раз получила право сыграть на итоговом турнире WTA. Она стала пятой теннисисткой, получившей право сыграть в Сингапуре.

МОСКВА, 18 окт — Р-Спорт. Полька Агнешка Радваньская квалифицировалась на итоговый турнир Женской теннисной ассоциации (WTA), который пройдет в Сингапуре, сообщается на официальном сайте WTA.

Радваньская в седьмой раз получила право сыграть на итоговом турнире WTA, где она дважды доходила до стадии полуфинала — в 2012 и 2014 годах.

"Я взволнована тем, что выступлю на итоговом турнире в Сингапуре в этом году. У меня хорошие воспоминания от игры в Сингапуре. Здесь удивительные болельщики, поэтому я не могу дождаться, когда смогу выйти на корт и соревноваться с лучшими теннисистками мира", — сказала 26-летняя Радваньская.

Полька, которая в воскресенье выиграла турнир в Тяньцзине (Китай), стала пятой теннисисткой, получившей право сыграть в Сингапуре. Ранее на итоговый турнир WTA квалифицировались первая ракетка мира американка Серена Уильямс, россиянка Мария Шарапова, испанка Гарбинье Мугуруса, румынка Симона Халеп и чешка Петра Квитова. Однако 1 октября Уильямс-младшая сообщила, что досрочно завершила сезон и не сыграет в Сингапуре.

Итоговый турнир WTA, в котором участвуют восемь лучших теннисисток по результатам сезона, пройдет в Сингапуре с 25 октября по 1 ноября. Его призовой фонд составляет 7 миллионов долларов.

 
 
 
Лента новостей
0
Сначала новыеСначала старые
loader
Онлайн
Заголовок открываемого материала
Чтобы участвовать в дискуссии,
авторизуйтесь или зарегистрируйтесь
loader
Обсуждения
Заголовок открываемого материала