Рейтинг@Mail.ru
Заседание совета глав правительств ШОС в 2015 году состоится в Китае - РИА Новости, 15.12.2014
Регистрация пройдена успешно!
Пожалуйста, перейдите по ссылке из письма, отправленного на

Заседание совета глав правительств ШОС в 2015 году состоится в Китае

© РИА Новости / Александр Астафьев | Перейти в медиабанкПредседатель правительства России Дмитрий Медведев с главами правительств государств-членов Шанхайской организации сотрудничества (ШОС) в Астане
Председатель правительства России Дмитрий Медведев с главами правительств государств-членов Шанхайской организации сотрудничества (ШОС) в Астане
Читать ria.ru в
В настоящее время в состав ШОС входят Россия, Китай, Казахстан, Киргизия, Таджикистан и Узбекистан. Статус наблюдателей предоставлен Монголии, Индии, Ирану, Пакистану и Афганистану.

МОСКВА, 15 дек — РИА Новости. Следующее заседание совета глав правительств государств-членов Шанхайской организации сотрудничества (ШОС) состоится в 2015 году в Китае, заявил премьер-министр Казахстана Карим Масимов журналистам.

В.Путин принимает участие в саммите ШОС в Душанбе. Архивное фото
Китай предлагает ШОС ускорить подписание конвенции по экстремизму
ШОС была образована в 2001 году на базе действовавшей с 1996 года так называемой Шанхайской пятерки, в которую входили Россия, Китай, Казахстан, Киргизия и Таджикистан (с 2000 года — Шанхайский форум).

На сегодняшний день членами ШОС являются Россия, Китай, Казахстан, Киргизия, Таджикистан и Узбекистан. Статус наблюдателей предоставлен Монголии, Индии, Ирану, Пакистану и Афганистану. В сентябре этого года Пакистан и Индия подали официальные заявки на вступление в ШОС, Иран также претендует на полноправное членство в Организации. Заявку на получение статуса наблюдателя подали Шри-Ланка и Армения. Статус "партнера по диалогу" ШОС имеют Белоруссия, Шри-Ланка и Турция.

 
 
 
Лента новостей
0
Сначала новыеСначала старые
loader
Онлайн
Заголовок открываемого материала
Чтобы участвовать в дискуссии,
авторизуйтесь или зарегистрируйтесь
loader
Обсуждения
Заголовок открываемого материала