МОСКВА, 11 июн — РИА Новости. Физики создали первый в мире прототип сверхбыстрой опто-электронной памяти, в которой информация считывается при помощи луча лазера, что позволяет сделать ее практически "вечной" с точки зрения циклов перезаписи, говорится в статье, опубликованной в журнале Nature Communications.
Юньлинь Ван (Junling Wang) из Технологического университета Наньян в Сингапуре и его коллеги создали "вечную" флеш-память, научившись считывать информацию с пластинок из соединения висмута и оксида железа при помощи лазерного луча. Это вещество, феррит висмута, относится к числу так называемых мультиферроиков — материалов, чьими магнитными свойствами можно тонко манипулировать при помощи электричества и наоборот.
Ван и его коллеги ликвидировали один из основных недостатков памяти на основе мультиферроиков (FeRAM) — потерю данных при считывании информации, воспользовавшись тем, что такие материалы умеют поглощать свет и преобразовать его в поток электронов при особой конфигурации их кристаллов. По словам физиков, напряжение и другие характеристики этого тока зависят от магнитных свойств кристаллов, что позволяет использовать свет для "считывания" их состояния.
Руководствуясь этой идеей, ученые создали экспериментальный прототип ячейки памяти из 16 бит, используя пленку из феррита висмута, "сетку" из железных электродов и считывающий лазер. Один бит информации в таком чипе считывается за 10 наносекунд, что сопоставимо с лучшими показателями для флеш и оперативной памяти, и при этом сохраняет свою информацию в течение многих месяцев работы и сотен миллионов циклов перезаписи.
Данный факт позволяет применять подобные чипы в качестве основы как для долговечных и сверхбыстрых флеш-накопителей, так и в качестве чрезвычайно экономичной оперативной памяти для ноутбуков, телефонов и других мобильных устройств. Тем не менее, для этого Вану и его коллегам потребуется найти способ объединить миллиарды таких ячеек в одном небольшом чипе, на что уйдет немало времени.
