Рейтинг@Mail.ru
Российские ускорители будут использоваться для лечения рака в США - РИА Новости, 01.03.2020
Регистрация пройдена успешно!
Пожалуйста, перейдите по ссылке из письма, отправленного на
Супертег Наука 2021январь
Наука

Российские ускорители будут использоваться для лечения рака в США

Читать ria.ru в
Дзен
Российская установка победила в тендере одного из крупнейших американских медицинских центров - Массачусетского госпиталя общего профиля.

МОСКВА, 23 мая — РИА Новости. Протонный ускоритель, разработанный в Физическом институте имени Лебедева (ФИАН), будут впервые применен для лечения онкологических заболеваний в США, российская установка победила в тендере одного из крупнейших американских медицинских центров — Массачусетского госпиталя общего профиля (Massachusetts General Hospital), сообщает пресс-служба ФИАН.

"В высокотехнологичном лечении онкологических заболеваний ведущую роль играют электронные ускорители, "бомбардирующие" опухоль пучками гамма-лучей. Основной недостаток этого способа в том, что вместе с больными клетками гамма-кванты поражают и окружающие здоровые ткани. Существенно минимизировать эту проблему позволяют ускорители другого типа — протонные (из-за своих свойств протоны почти не оказывают влияния на здоровые клетки организма)", — говорится в сообщении.

Российский аппарат отличается тем, что позволяет лучше "сосредоточить" пучки гамма-лучей на опухоли, чем аналогичные зарубежные приборы. В нынешнем году в американских больницах планируется установить как минимум четыре прибора из России, отмечается в сообщении.

В середине мая протонный ускоритель из ФИАН также выиграл тендер на поставку в Медицинский радиологический научный центр Российской академии наук в Обнинске. Несколько лет своей очереди по сертификации ждёт установка, предназначенная для больницы Пущинского научного центра РАН.

 
 
 
Лента новостей
0
Сначала новыеСначала старые
loader
Онлайн
Заголовок открываемого материала
Чтобы участвовать в дискуссии,
авторизуйтесь или зарегистрируйтесь
loader
Обсуждения
Заголовок открываемого материала