МОСКВА, 23 янв - РИА Новости. Прототипы электронных чипов с размером транзисторов в 10 нанометров к концу 2012 года могут начать делать в Национальном исследовательском центре "Курчатовский институт", сообщил журналистам в понедельник заместитель директора НБИК-центра (нано-био-инфо-когнитивные технологии) института Алексей Марченков.
"К концу года установка для электронной литографии может начать работу. К концу года появится возможность создавать прототипы приборов с разрешением 10 нанометров", - сказал Марченков.
Уменьшение размеров позволяет разместить на том же кристалле чипа больше транзисторов и получить большую вычислительную мощность. В настоящее время наименьший размер транзисторов на серийных микропроцессорах составляет около 20 нанометров.
По словам Марченкова, речи о серийном выпуске не идет - "это не наше дело". В задачи института входит отработка технологий, которые могут быть впоследствии переданы на производство.
В настоящее время в институте уже работает нанофаб, где специалисты, в частности, развивают технологии производства светодиодов на основе нитрида галлия, а также ультрафиолетовые светодиоды для промышленных лазеров.
Светодиоды на базе нитрида галлия отличаются, в частности, биосовместимостью. По словам Марченкова, их можно "встраивать" в организм без угрозы отторжения, что может использоваться в биотехнологиях.
