Регистрация пройдена успешно!
Пожалуйста, перейдите по ссылке из письма, отправленного на
Супертег РИА Наука
РИА Наука

Intel внедряет новую технологию трехмерных транзисторов

© Intel CorporationСкриншот сайта Intel Corporation
Скриншот сайта Intel Corporation
Новая разработка, которую Intel именует "прорывом в эволюции транзисторов", позволяет создавать существенно более производительные и энергоэффективные процессоры по сравнению с существующими аналогами. Американская корпорация пока является единственным полупроводниковым производителем, готовым к внедрению этой технологии в массовую продукцию.

МОСКВА, 4 мая - РИА Новости, Владислав Бирюков. Крупнейший в мире производитель микропроцессоров корпорация Intel анонсировал принципиально новую технологию изготовления чипов с трехмерной структурой транзисторов, сообщила компания в среду.

Новая разработка, которую Intel именует "прорывом в эволюции транзисторов", позволяет создавать существенно более производительные и энергоэффективные процессоры по сравнению с существующими аналогами. Американская корпорация пока является единственным полупроводниковым производителем, готовым к внедрению этой технологии в массовую продукцию.

Разработка, получившая наименование 3-D Tri-Gate, будет впервые реализована в серийных процессорах в конце этого года. Трехмерные транзисторы дебютируют в чипах семейства Ivy Bridge, изготовляемых по 22-нанометровой технологии и предназначенных для персональных компьютеров. В дальнейшем Intel планирует использовать технологию для создания более экономичных и производительных процессоров Intel Atom для мобильных устройств и встроенных решений.

По заявлению компании, внедрение 3-D Tri-Gate повышает производительность процессора до 37% при одновременном переходе с 32-нанометровых на 22-нанометровые топологические нормы (подобный переход, сам по себе, также позволяет увеличить скорость работы чипа). При сохранении производительности энергопотребление процессора после смены технологии может быть уменьшено более чем вдвое.

Чипы 3-D Tri-Gate могут быть изготовлены на стандартном литографическом оборудовании. По заявлению Intel, новая технология увеличивает себестоимость процессора лишь на 2-3%.

В традиционной планарной структуре транзистора электрический ток протекает по поверхности кремния под затвором. В транзисторах 3-D Tri-Gate ток распространяется по трем граням кремниевого выступа, "прорезающего" затвор. Это позволяет снизить сопротивление открытого логического элемента, увеличить сопротивление в закрытом состоянии и помогает быстрее переключаться между этими режимами.

Соответственно, применение трехмерных транзисторов снижает рабочее напряжение чипа и уменьшает токи утечки.

О начале разработке технологии трехмерных транзисторов Intel совместно с компанией Texas Instruments объявила еще в 2006 году. Тогда предполагалось, что новация найдет применение в серийной продукции к 2010 году.

Хотя Intel сохраняет лидерство на рынке полупроводниковых производителей, разрыв между ним и "игроком номер два" - Samsung Electronics по итогам 2010 года существенно сократился. Intel доминирует на рынке процессоров для персональных компьютеров и серверов, но имеет слабые позиции в активно развивающемся сегменте смартфонов и планшетных компьютеров.

Технология 3-D Tri-Gate прежде всего усилит позиции Intel в сегменте процессоров для компьютеров, где корпорация и так сильна. Адаптация новинки для мобильного рынка, по мнению аналитиков, может занять один-два года. 

Рекомендуем
Российский триколор на палубе парусника Херсонес в Крыму
Крымские татары и сенатор прокомментировали отказ Турции признать Крым
Автомобиль полиции Австрии
Просителя убежища из России убили в Австрии
Лента новостей
0
Сначала новыеСначала старые
loader
Онлайн
Заголовок открываемого материала
Чтобы участвовать в дискуссии
авторизуйтесь или зарегистрируйтесь
loader
Чаты
Заголовок открываемого материала