Рейтинг@Mail.ru
Украина не против назначения Джона Тефта американским послом - РИА Новости, 02.10.2009
Регистрация пройдена успешно!
Пожалуйста, перейдите по ссылке из письма, отправленного на

Украина не против назначения Джона Тефта американским послом

© Фото : United States Department of StateУкраина не против назначения Джона Тефта американским послом
Украина не против назначения Джона Тефта американским послом
Читать ria.ru в
ДзенМАКСTelegram
Секретариат президента Украины высоко оценивают кандидатуру Джона Тефта, бывшего посла США в Грузии, которого в ближайшее время могут назначить на должность посла США на Украине, сказал журналистам заместитель главы секретариата президента Андрей Гончарук.

КИЕВ, 2 окт - РИА Новости, Алена Мейта. Секретариат президента Украины высоко оценивают кандидатуру Джона Тефта, бывшего посла США в Грузии, которого в ближайшее время могут назначить на должность посла США на Украине, сказал в пятницу журналистам заместитель главы секретариата президента Андрей Гончарук.

Он отметил, что нельзя комментировать намерения иностранной стороны назначить нового посла до завершения всех процедур, касающихся такого назначения.

В то же время, он подчеркнул, что украинская сторона не видит никаких проблем с кандидатурой Тефта, и все необходимые процедуры МИД Украины проводит оперативно.

По словам Гончарука, при этом необходимо помнить, что впереди еще внутригосударственные процедуры в США, в частности, кандидатура нового посла должна сначала пройти утверждение в американском Сенате.

"Относительно отдельных оценок в комментариях СМИ о предыдущей деятельности Тефта на должности посла США в Грузии, касающейся его вроде бы негативной роли в российско-грузинском конфликте, мы их категорически не разделяем и считаем некорректными, учитывая реальные причины указанных событий", - сказал Гончарук.

 
 
 
Лента новостей
0
Сначала новыеСначала старые
loader
Онлайн
Заголовок открываемого материала
Чтобы участвовать в дискуссии,
авторизуйтесь или зарегистрируйтесь
loader
Обсуждения
Заголовок открываемого материала