Рейтинг@Mail.ru
МИД Ирана выразил протест в связи с подрывной деятельностью США - РИА Новости, 07.06.2008
Регистрация пройдена успешно!
Пожалуйста, перейдите по ссылке из письма, отправленного на

МИД Ирана выразил протест в связи с подрывной деятельностью США

Читать ria.ru в
Посол Швейцарии, представляющей интересы США в Тегеране, вызван в МИД Ирана, где ему был заявлен официальный протест в связи с проводимой американцами подрывной и шпионской деятельности на иранской территории.

ТЕГЕРАН, 27 мая - РИА Новости, Станислав Хамдохов. Посол Швейцарии, представляющей интересы США в Тегеране, вызван в МИД Ирана, где ему был заявлен официальный протест в связи с проводимой американцами подрывной и шпионской деятельности на иранской территории.

Как сообщила в воскресенье пресс-служба иранского внешнеполитического ведомства, главе швейцарского диппредставительства указали на "враждебное вмешательство правительства США и спецслужб этой страны во внутренние дела Ирана".

"Шпионские акции администрации США на территории Исламской Республики Иран противоречат международным обязательствам этой страны, предусматривающие уважение суверенитета и территориальной целостности государств, а также положениям Алжирского соглашения (1980 года) о невмешательстве двух стран во внутренние дела друг друга", - заявил послу Швейцарии высокопоставленный иранский дипломат Ахмад Сабхани.

МИД Ирана потребовал от властей США в этой связи необходимых объяснений, отмечается в документе.

Накануне министерство информации (безопасности) Ирана сообщило о раскрытии и нейтрализации в Иране несколько шпионских сетей, сотрудничавших со спецслужбами оккупационных войск в Ираке.

По данным спецслужб Исламской Республики, шпионы действовали в западных и центральных областях страны. Агенты передавали секретные данные оккупационным силам в соседнем Ираке.

 
 
 
Лента новостей
0
Сначала новыеСначала старые
loader
Онлайн
Заголовок открываемого материала
Чтобы участвовать в дискуссии,
авторизуйтесь или зарегистрируйтесь
loader
Обсуждения
Заголовок открываемого материала