Рейтинг@Mail.ru
По посольству США в Афинах стреляли из китайского гранатомета - РИА Новости, 07.06.2008
Регистрация пройдена успешно!
Пожалуйста, перейдите по ссылке из письма, отправленного на

По посольству США в Афинах стреляли из китайского гранатомета

Читать ria.ru в
Дзен
"После завершения лабораторных исследований остатков гранаты, которая попала в американское посольство, было установлено, что речь идет о заряде к гранатомету РПГ-7 диаметром 40 миллиметров китайского производства (копия аналогичного советского образца)", - говорится в сообщении полиции, распространенном в пятницу поздно вечером.

АФИНЫ, 13 янв - РИА Новости, Алексей Богдановский. Греческая полиция уточнила, что по посольству США в Афинах стреляли из гранатомета китайского производства. Ранее представитель полиции Панайотис Статис (Panagiotis Stathis) заявлял, что гранатомет был сделан в Советском Союзе.

"После завершения лабораторных исследований остатков гранаты, которая попала в американское посольство, было установлено, что речь идет о заряде к гранатомету РПГ-7 диаметром 40 миллиметров китайского производства (копия аналогичного советского образца)", - говорится в сообщении полиции, распространенном в пятницу поздно вечером.

Эксперты определили, что речь идет о гранатомете, произведенном примерно в 1974 году. Гранатомет РПГ-7 состоит из ударно-спускового механизма, ствола и оптического прицела. Дальность прицельной стрельбы РПГ-7 составляет около 300 метров, в то время как по американскому посольству стреляли с дистанции примерно в 30 метров.

Очевидно, стрелявшие целились в массивный герб США, расположенный на фасаде здания, однако промахнулись. Граната выбила одно из стекол и взорвалась внутри здания, в туалетной комнате третьего этажа. Пострадавших нет.

Ответственность за нападение взяла на себя левая группировка "Революционная борьба".

 
 
 
Лента новостей
0
Сначала новыеСначала старые
loader
Онлайн
Заголовок открываемого материала
Чтобы участвовать в дискуссии,
авторизуйтесь или зарегистрируйтесь
loader
Обсуждения
Заголовок открываемого материала