Рейтинг@Mail.ru
Саакашвили встретится с Бушем один на один - РИА Новости, 07.06.2008
Регистрация пройдена успешно!
Пожалуйста, перейдите по ссылке из письма, отправленного на

Саакашвили встретится с Бушем один на один

Читать ria.ru в
Дзен
В первый день визита Саакашвили встретится с госсекретарем США Кондолизой Райс, а встреча президентов США и Грузии в формате "один на один" состоится 5 июля.

ТБИЛИСИ, 3 июл - РИА Новости, Марина Кварацхелия. По приглашению президента США Джорджа Буша глава грузинского государства Михаил Саакашвили в понедельник утром отправился с рабочим визитом в США. Президента Грузии в поездке сопровождают глава МИД Гела Бежуашвили и советник по вопросам урегулирования конфликтов Ираклий Аласания.

Как сообщили РИА Новости в пресс-службе главы государства, в первый день визита Саакашвили встретится с госсекретарем США Кондолизой Райс.

Встреча президентов США и Грузии в формате "один на один" состоится 5 июля.

Главной темой переговоров между президентами Грузии и США станут вопросы мирного урегулирования конфликтов в Грузии, демократические процессы в стране, энергетическая безопасность и усилия страны, направленные на интеграцию в евроатлантические структуры.

"Одной из главных тем встречи президентов будет вопрос политического мирного урегулирования конфликтов на территории Грузии. Конфликты должны быть урегулированы мирным и политическим путем и, что самое главное, в рамках территории, признанной международным сообществом", - сказал журналистам в Тбилиси находящийся на минувшей неделе с визитом в Грузии заместитель помощника госсекретаря США Метью Брайза.

По его словам, темой обсуждения также станет вопрос энергетической безопасности, связанный с экспортом азербайджанских углеводородов в страны Европы.

Грузинская делегация под руководством Саакашвили вернется из Вашингтона в Тбилиси 6 июля.

 
 
 
Лента новостей
0
Сначала новыеСначала старые
loader
Онлайн
Заголовок открываемого материала
Чтобы участвовать в дискуссии,
авторизуйтесь или зарегистрируйтесь
loader
Обсуждения
Заголовок открываемого материала