Рейтинг@Mail.ru
Главы МИД Ирана и России в Шанхае провели двустороннюю встречу - РИА Новости, 07.06.2008
Регистрация пройдена успешно!
Пожалуйста, перейдите по ссылке из письма, отправленного на

Главы МИД Ирана и России в Шанхае провели двустороннюю встречу

Читать ria.ru в
Сергей Лавров и Манучехр Моттаки в рамках работы саммита Шанхайской организации сотрудничества (ШОС) обсудили вопросы двусторонних отношений и иранскую ядерную проблему.

ТЕГЕРАН, 15 июн - РИА Новости, Станислав Хамдохов. Главы МИД России и Ирана Сергей Лавров и Манучехр Моттаки в рамках работы саммита Шанхайской организации сотрудничества (ШОС) обсудили вопросы двусторонних отношений и иранскую ядерную проблему.

Как сообщило в четверг иранское информационное агентство ИРНА, министры иностранных дел двух стран в ходе состоявшейся встречи в Шанхае обменялись мнениями по вопросам двусторонних отношений и иранской ядерной проблеме.

В ходе встречи, в частности, были затронуты темы проведения в ближайшем будущем заседания совместной российско-иранской экономической комиссии, определения правового статуса Каспийского моря, энергетического сотрудничества и двустороннего сотрудничества в рамках ШОС.

Глава МИД Ирана подчеркнул важность обмена мнениями между Ираном и Россией по иранской ядерной проблеме и поблагодарил российскую сторону за ее позицию в решении этого вопроса.

"Иран со всей серьезностью изучает пакет предложений "шестерки", и по итогам анализа мы озвучим свою позицию", - сказал Моттаки.

"Мы надеемся, что в рамках переговорного процесса на основе гибкости и добрых намерений, стороны придут к взаимному согласию, учитывая с одной стороны реализацию Ираном своих прав (в ядерной сфере), и укрепления режима нераспространения (оружия массового поражения) с другой стороны", - подчеркнул в ходе встречи с Сергеем Лавровым глава иранского МИД.

 
 
 
Лента новостей
0
Сначала новыеСначала старые
loader
Онлайн
Заголовок открываемого материала
Чтобы участвовать в дискуссии,
авторизуйтесь или зарегистрируйтесь
loader
Обсуждения
Заголовок открываемого материала