Рейтинг@Mail.ru
Палестина считает ошибкой решение США и Израиля покинуть ЮНЕСКО - РИА Новости, 16.10.2017
Регистрация пройдена успешно!
Пожалуйста, перейдите по ссылке из письма, отправленного на

Палестина считает ошибкой решение США и Израиля покинуть ЮНЕСКО

© РИА Новости / Владимир Трефилов | Перейти в медиабанкГенеральный секретарь Центрального комитета Движения освобождения Палестины (ФАТХ) Джибриль Раджуб на пресс-конференции о примирении ФАТХ и ХАМАС. 16 октября 2017
Генеральный секретарь Центрального комитета Движения освобождения Палестины (ФАТХ) Джибриль Раджуб на пресс-конференции о примирении ФАТХ и ХАМАС. 16 октября 2017
Читать ria.ru в
Дзен

МОСКВА, 16 окт — РИА Новости. Палестина считает ошибкой выход США из ЮНЕСКО и намерение Израиля последовать примеру Вашингтона, заявил генеральный секретарь ЦК движения ФАТХ Джибриль Раджуб.

Старый город в Иерусалиме. Архивное фото
В Иерусалиме надеются, что ЮНЕСКО изменит свою политику по Израилю

"Мы как палестинцы считаем членство в ЮНЕСКО важным, а уход США и Израиля — ошибкой, эти действия не соответствуют международным правилам", — сказал Раджуб на пресс-конференции в МИА "Россия сегодня".

По его словам, США и Израиль только проиграют от такого шага. "ЮНЕСКО, я уверен, продолжит свою работу в интересах международного сообщества. И Палестина продолжит свое участие в работе организации", — заявил политик.

Ранее США заявили о решении выйти из ЮНЕСКО. Страна останется членом этой международной организации до 31 декабря 2018 года, а с 2019 года будет находиться в статусе наблюдателя. Постпред США при ООН Никки Хейли, отметив "благую цель" ЮНЕСКО, заявила о "крайней политизации" структуры. Премьер-министр Израиля Биньямин Нетаньяху назвал ЮНЕСКО платформой для принятия "антиизраильских и антисемитских" решений, подтвердив намерение покинуть организацию вместе с США.

 
 
 
Лента новостей
0
Сначала новыеСначала старые
loader
Онлайн
Заголовок открываемого материала
Чтобы участвовать в дискуссии,
авторизуйтесь или зарегистрируйтесь
loader
Обсуждения
Заголовок открываемого материала