Рейтинг@Mail.ru
Керри и глава МИД Ирана вновь обсудили в Нью-Йорке "ядерный" договор - РИА Новости, 03.10.2015
Регистрация пройдена успешно!
Пожалуйста, перейдите по ссылке из письма, отправленного на

Керри и глава МИД Ирана вновь обсудили в Нью-Йорке "ядерный" договор

© AFP 2024 / Dominick ReuterГоссекретарь США Джон Керри на встрече с главой МИД Ирана Джавадом Зарифом в ООН
Госсекретарь США Джон Керри на встрече с главой МИД Ирана Джавадом Зарифом в ООН
Читать ria.ru в
Дзен
Встреча состоялась на полях Генассамблеи ООН. Исламская Республика и "шестерка" международных переговорщиков в ночь на 14 июля достигли соглашения по вопросу иранского атома.

ВАШИНГТОН, 3 окт — РИА Новости. Госсекретарь США Джон Керрии провел на полях Генассамблеи ООН переговоры с главой иранского МИД Мохаммадом Джавадом Зарифом, сообщила пресс-служба госдепартамента.

Вид на Тегеран, Иран
Главы МИД "шестерки" ждут рассмотрения парламентом Ирана сделки по ИЯП
"Пользуясь возможностью того, что оба они находятся в Нью-Йорке, перед отъездом госсекретарь Керри и министр иностранных дел Зариф вновь встретились сегодня вечером для дальнейших переговоров по реализации Совместного комплексного плана действий (сделка по Ирану)", — заявил официальный представитель ведомства Джон Кирби.

Госсекретарь США и глава МИД Ирана уже встречались в ООН на прошлой неделе. В ходе встречи Керри выразил надежду на сотрудничество двух стран по ближневосточной проблематике, включая Сирию и Йемен.

Иран и "шестерка" международных переговорщиков в ночь на 14 июля достигли исторического соглашения об урегулировании многолетней проблемы иранского атома. Сложнейшие переговоры завершились принятием совместного всеобъемлющего плана действий, выполнение которого полностью снимет с Ирана введенные ранее экономические и финансовые санкции со стороны СБ ООН, США и Евросоюза.

 
 
 
Лента новостей
0
Сначала новыеСначала старые
loader
Онлайн
Заголовок открываемого материала
Чтобы участвовать в дискуссии,
авторизуйтесь или зарегистрируйтесь
loader
Обсуждения
Заголовок открываемого материала