Рейтинг@Mail.ru
Глава МАГАТЭ приглашен на встречу с международным комитетом сената США - РИА Новости, 31.07.2015
Регистрация пройдена успешно!
Пожалуйста, перейдите по ссылке из письма, отправленного на

Глава МАГАТЭ приглашен на встречу с международным комитетом сената США

Читать ria.ru в
Дзен
По данным дипломатического источника, Юкия Амано положительно рассматривает полученное приглашение.

МОСКВА, 31 июл — РИА Новости. Гендиректор МАГАТЭ Юкия Амано получил приглашение принять участие в переговорах по иранскому вопросу с комитетом сената США по международным отношениям, сообщает агентство Рейтер со ссылкой на дипломатический источник.

По данным источника, Амано положительно рассматривает полученное приглашение.

"Я знаю, что генеральный директор Юкия Амано накануне вечером получил приглашение от членов комитета сената США по международным отношениям. Я также знаю, что он положительно рассматривает приглашение", — сообщил источник.

Иран и "шестерка" международных переговорщиков в ночь на 14 июля достигли исторического соглашения об урегулировании многолетней проблемы иранского атома. Переговоры завершились принятием совместного всеобъемлющего плана действий, выполнение которого полностью снимет с Ирана введенные ранее экономические и финансовые санкции со стороны СБ ООН, США и Евросоюза. Совет безопасности ООН 20 июля единогласно принял резолюцию по иранской ядерной программе. Теперь должно последовать согласие конгресса США.

Начиная с 20 июля, у конгресса США есть 60 дней, чтобы высказать свою позицию по соглашению. В случае несогласия у президента США есть право вето на решение конгресса, для преодоления которого необходимо две трети голосов сената и палаты представителей. В этом случае конгресс фактически блокирует выполнение Соединенными Штатами соглашения, что поставит под вопрос достигнутые международным сообществом договоренности с Ираном.

 
 
 
Лента новостей
0
Сначала новыеСначала старые
loader
Чтобы участвовать в дискуссии,
авторизуйтесь или зарегистрируйтесь
loader
Обсуждения
Заголовок открываемого материала