Рейтинг@Mail.ru
Правительство Эстонии одобрило кандидатуру нового посла в России - РИА Новости, 02.07.2015
Регистрация пройдена успешно!
Пожалуйста, перейдите по ссылке из письма, отправленного на

Правительство Эстонии одобрило кандидатуру нового посла в России

Читать ria.ru в
Дзен
Посольство Эстонии в Москве с 2012 года возглавлял Юри Луйк. Имя нового посла будет названо после того, как он официально получит новое назначение.

ТАЛЛИН, 2 июл — РИА Новости, Николай Адашкевич. Правительство Эстонии в четверг утвердило кандидатуру нового посла страны в России, его имя будет названо после того, как он официально получит новое назначение, сообщила пресс-служба кабинета министров.

Посольство Эстонии в Москве с 2012 года возглавляет Юри Луйк. Его заменят в порядке обычной ротации.

"Согласно эстонским законам, министр иностранных дел по предложению аттестационной комиссии представляет кандидатуру посла правительству, которое утверждает ее и представляет президенту. Президент в течение месяца должен одобрить кандидатуру, после чего МИД обратится к уполномоченному учреждению зарубежной страны за одобрением кандидатуры. О полученном согласии министр иностранных дел сообщает правительству, которое обращается к президенту с предложением о назначении кандидата послом", — говорится в сообщении.

По данным влиятельной газеты Postimees, кандидатом на должность посла в России является 43-летний Арти Хилпус, нынешний посол Эстонии в Македонии, Боснии и Герцеговине, а также Черногории.

Хилпус окончил Тартуский университет по специальности историка и учился в Женевском центре политики безопасности. С 1996 года он работает в МИД, где был директором бюро по персоналу, а также бюро единой политики иностранных дел и безопасности ЕС. Хилпус также работал первым секретарем эстонского посольства в Берлине, послом в Норвегии и Исландии.

 
 
 
Лента новостей
0
Сначала новыеСначала старые
loader
Онлайн
Заголовок открываемого материала
Чтобы участвовать в дискуссии,
авторизуйтесь или зарегистрируйтесь
loader
Обсуждения
Заголовок открываемого материала