Рейтинг@Mail.ru
Главы МИД "шестерки" проводят встречу по ИЯП в Лозанне - РИА Новости, 30.03.2015
Регистрация пройдена успешно!
Пожалуйста, перейдите по ссылке из письма, отправленного на

Главы МИД "шестерки" проводят встречу по ИЯП в Лозанне

© МИД России | Перейти в медиабанкМинистр иностранных дел России Сергей Лавров и государственный секретарь США Джон Керри на консультации в рамках переговоров "шестерки" по иранской ядерной программе в швейцарской Лозанне
Министр иностранных дел России Сергей Лавров и государственный секретарь США Джон Керри на консультации в рамках переговоров шестерки по иранской ядерной программе в швейцарской Лозанне
Читать ria.ru в
Дзен
В этой встрече участвуют главы МИД Франции Лоран Фабиус, Германии - Франк-Вальтер Штайнмайер, России - Сергей Лавров, Великобритании - Филип Хаммонд, КНР - Ван И, госсекретарь США Джон Керри, а также глава дипломатии ЕС Федерика Могерини.

ЛОЗАННА, 30 мар — РИА Новости. Главы МИД "шестерки" проводят координационную встречу по иранской ядерной программе в Лозанне,

Вид на Тегеран, Иран. Архивное фото
Аракчи: делегация Ирана хочет остаться в Лозанне минимум до 1 апреля
передает корреспондент РИА Новости.

В этой встрече участвуют главы МИД Франции Лоран Фабиус, Германии — Франк-Вальтер Штайнмайер, России — Сергей Лавров, Великобритании — Филип Хаммонд, КНР — Ван И, госсекретарь США Джон Керри, а также глава дипломатии ЕС Федерика Могерини.

Ранее в понедельник "шестерка" и Тегеран уже провели в Лозанне полноценное пленарное заседание, на котором обсудили ход работы над соглашением по ядерной программе Тегерана. На встрече присутствовала также верховный представитель ЕС по внешней политике Федерика Могерини.

Накануне Керри заявил РИА Новости, что пока не уверен, что договоренность с Ираном по ядерной программе Тегерана в настоящий момент может быть достигнута.

 
 
 
Лента новостей
0
Сначала новыеСначала старые
loader
Онлайн
Заголовок открываемого материала
Чтобы участвовать в дискуссии,
авторизуйтесь или зарегистрируйтесь
loader
Обсуждения
Заголовок открываемого материала