Рейтинг@Mail.ru
Главы МИД и Минобороны Японии и Франции встретятся 9 января - РИА Новости, 22.12.2013
Регистрация пройдена успешно!
Пожалуйста, перейдите по ссылке из письма, отправленного на

Главы МИД и Минобороны Японии и Франции встретятся 9 января

Читать ria.ru в
Дзен
Ключевыми темами для обсуждения станут вопросы совместной разработки оборонного оборудования, а также усиление программы по обмену разведывательной информацией в рамках борьбы с терроризмом.

ТОКИО, 22 дек — РИА Новости, Екатерина Плясункова. Первая встреча министров иностранных дел и министров обороны Японии и Франции в формате "два плюс два" запланирована на 9 января, передает в воскресенье телеканал NHK со ссылкой на источники в дипломатических кругах.

Ключевыми темами для обсуждения станут вопросы совместной разработки оборонного оборудования, а также усиление программы по обмену разведывательной информацией в рамках борьбы с терроризмом.

Ожидается, что представители официального Токио проинформируют французскую сторону об основных положениях принятой ранее на этой неделе новой Стратегии национальной безопасности, а также обсудят вопросы вокруг решения КНР об установлении опознавательной зоны противовоздушной обороны над Восточно-Китайским морем.

Кроме того, японская сторона намерена попросить Париж направлять Токио официальное уведомление об экспортируемом оборудовании до момента заключения сделки.

Франция станет четвертой страной, с которой Япония проведет официальную встречу в формате "два плюс два" после США, Австралии и России.


Читайте также: как пресс-конференция президента закончилась намерением помиловать Михаила Ходорковского, кого уже освободили по широкой амнистии, как чувствует себя красноярский губернатор после ограбления в собственном доме на Лазурном берегу и многое другое — в свежем выпуске рубрики "Неделя в лицах" на ria.ru.

 
 
 
Лента новостей
0
Сначала новыеСначала старые
loader
Онлайн
Заголовок открываемого материала
Чтобы участвовать в дискуссии,
авторизуйтесь или зарегистрируйтесь
loader
Обсуждения
Заголовок открываемого материала