Рейтинг@Mail.ru
Эштон, Зариф, Керри проводят встречу в Женеве - РИА Новости, 23.11.2013
Регистрация пройдена успешно!
Пожалуйста, перейдите по ссылке из письма, отправленного на

Эштон, Зариф, Керри проводят встречу в Женеве

Читать ria.ru в
Очередной раунд переговоров "шестерки" международных посредников и Ирана по ядерной программе страны продолжается с 20 ноября.

ЖЕНЕВА, 23 ноя — РИА Новости. Верховный представитель ЕС по иностранным делам и политике безопасности Кэтрин Эштон, госсекретарь США Джон Керри и министр иностранных дел Ирана Джавад Зариф встретились в Женеве для обсуждения иранской ядерной проблемы, сообщил РИА Новости источник, близкий к переговорам.

"Кэтрин Эштон, Джон Керри и Джавад Зариф проводят трехстороннюю встречу", — сообщил источник.

В Женеву, где 20 ноября начались переговоры "шестерки" международных посредников и Ирана по ядерной программе страны, в субботу прибыли главы внешнеполитических ведомств России, США, Китая, Франции, Великобритании и Германии. Ранее Сергей Лавров провел двусторонние встречи с Джоном Керри и Кэтрин Эштон.

Как начиналась иранская ядерная программа

Создание атомной энергетики в Иране началось во время правления шаха Мохаммеда Реза Пехлеви, когда в середине 1950‑х годов был основан Атомный центр Тегеранского университета. Разработки в области атомной энергии проводились при помощи США, с которыми Иран в 1957 году подписал Соглашение о мирном использовании ядерной энергии. В соответствии с этим соглашением Вашингтон обязался поставить в Иран ядерные установки, оборудование и подготовить специалистов. Читайте подробнее в справке РИА Новости >>


Читайте также: почему произошла авиакатастрофа в Казани, как Мастер-банк потерял лицензию, кто может стать соперником сборной России на ЧМ в Бразилии и многое другое — в свежем выпуске рубрики "Неделя в лицах" на ria.ru.

 
 
 
Лента новостей
0
Сначала новыеСначала старые
loader
Онлайн
Заголовок открываемого материала
Чтобы участвовать в дискуссии,
авторизуйтесь или зарегистрируйтесь
loader
Обсуждения
Заголовок открываемого материала