Рейтинг@Mail.ru
На форуме RUSNANOTECH 2011 впервые пройдет ярмарка хайтек-проектов - РИА Новости, 25.08.2011
Регистрация пройдена успешно!
Пожалуйста, перейдите по ссылке из письма, отправленного на

На форуме RUSNANOTECH 2011 впервые пройдет ярмарка хайтек-проектов

© Фото : ОАО «РОСНАНО»Скриншот страницы форума "Роснанотех"
Скриншот страницы форума Роснанотех
Читать ria.ru в
Ярмарка высокотехнологичных проектов, где они будут представлены потенциальным инвесторам, впервые пройдет в рамках четвертого международного форума RUSNANOTECH 2011, следует из материалов, опубликованных на официальном сайте форума.

МОСКВА, 25 авг - РИА Новости. Ярмарка высокотехнологичных проектов, где они будут представлены потенциальным инвесторам, впервые пройдет в рамках четвертого международного форума RUSNANOTECH 2011, следует из материалов, опубликованных на официальном сайте форума.

Четвертый международный форум RUSNANOTECH 2011 состоится в Москве с 26 по 28 октября.

Организаторами ярмарки являются ОАО "Роснано", Национальная ассоциация бизнес-ангелов и Российская ассоциация венчурного инвестирования.

Мероприятие пройдет в два этапа. На выставке в рамках форума 26 октября состоится презентационная сессия проектов ранней стадии. Авторы лучших проектов получат право представить их в рамках секции форума "Инструменты финансирования инновационных проектов", которая состоится на следующий день. Три лучших проекта получат памятные дипломы. Критериями отбора проектов станут, в частности, их коммерческий характер (цель - прибыль для авторов и инвесторов), инновационность, объем привлекаемых инвестиций до 1,5 миллионов рублей.

Международный форум по нанотехнологиям RUSNANOTECH - глобальная площадка для обсуждения вопросов инновационного развития и создания наноиндустрии. Первый форум RUSNANOTECH прошел в Москве 3-5 декабря 2008 года.

 
 
 
Лента новостей
0
Сначала новыеСначала старые
loader
Онлайн
Заголовок открываемого материала
Чтобы участвовать в дискуссии,
авторизуйтесь или зарегистрируйтесь
loader
Обсуждения
Заголовок открываемого материала