ТОМСК, 25 авг - РИА Новости. Nokia Siemens Networks и томское ЗАО "Научно-производственная фирма "Микран" подпишут в сентябре 2011 года соглашение о создании совместного предприятия (СП) по производству базовых станций для мобильной связи четвертого поколения, сообщил в четверг журналистам гендиректор "Микрана" Виктор Гюнтер.
В марте 2011 года Nokia Siemens Networks, ЗАО "Научно-производственная фирма "Микран", ОАО "Роснано" и администрация Томской области подписали соглашение о намерениях создания производства базовых станций для мобильной связи четвертого поколения (4G LTE) в томской особой экономической зоне (ОЭЗ).
"Нас ("Микран") зовут. Думаю, подпишем соглашение с Nokia Siemens в начале сентября", - сказал Гюнтер.
Ранее Гюнтер сообщил, что совместное производство планируется организовать на южной площадке томской ОЭЗ в два этапа. На первом будет использовать инженерный корпус в ОЭЗ для сборочного производства в 10 тысяч станций в год, на втором будет построен производственный корпус.
В свою очередь гендиректор Nokia Siemens Networks в России Кристина Тихонова ранее сообщила, что это первый проект по производству LTE в России: предприятие будет работать на экспорт, первоначальный объем составит около 10 тысяч станций LTE в год, а в дальнейшем - до 100 тысяч станций в год. Тихонова не назвала стоимость организации производства, уточнив, что в Западной Европе реализация подобного проекта обходится в 50 миллионов долларов.
Председатель правления "Роснано" Анатолий Чубайс заявил тогда, что большая тройка операторов договорилась о развитии в России сетей связи четвертого поколения. При этом "Роснано" готово участвовать в проекте капиталом и кредитом.
Nokia Siemens Networks является одним из крупнейших в мире поставщиков телекоммуникационного оборудования, программного обеспечения и профессиональных услуг, осуществляя свою деятельность в 150 странах мира.
Научно-производственная фирма "Микран" создана 1991 году. Основными направлениями деятельности компании являют производство телекоммуникационной аппаратуры, контрольно-измерительной аппаратуры СВЧ-диапазона и аксессуаров СВЧ-тракта, радиолокационного оборудования, систем безопасности, монолитных интегральных GaAs функциональных элементов сантиметрового и миллиметрового диапазона.
