Рейтинг@Mail.ru
Археологический парк на месте Лицея Аристотеля появится в Афинах - РИА Новости, 29.04.2009
Регистрация пройдена успешно!
Пожалуйста, перейдите по ссылке из письма, отправленного на
Искусство
Культура

Археологический парк на месте Лицея Аристотеля появится в Афинах

Читать ria.ru в
Дзен
Проект предусматривает создание крытого павильона на месте, где археологи открыли развалины палестры (гимнастической школы), принадлежавшей к комплексу Лицея. Вокруг будет разбит парк площадью 3,6 гектара.

АФИНЫ, 29 апр - РИА Новости, Алексей Богдановский. Археологический парк на месте перипатетической школы (Лицея) древнего философа Аристотеля будет сооружен в Афинах, сообщил журналистам в среду министр культуры Греции Антонис Самарас.

По его словам, сооружение парка будет завершено к 2011 году путем объединения нескольких участков в центре Афин.

Проект предусматривает создание крытого павильона на месте, где археологи открыли развалины палестры (гимнастической школы), принадлежавшей к комплексу Лицея. Вокруг будет разбит парк площадью 3,6 гектара.

Раскопки, открывшие остатки палестры, были произведены в 1996 году. К 2002 году была завершена их предварительная реставрация и предложен план по строительству археологического парка, на одобрение которого ушло еще семь лет.

Великий философ древности, основоположник формальной логики Аристотель создал в Афинах в 335 году до нашей эры собственную школу - Лицей. Ученики школы занимались философскими исследованиями, а впоследствии - развитием и комментированием учения основоположника. Привычка Аристотеля прогуливаться с учениками во время образовательных бесед дала имя целому направлению философии - перипатетике (название происходит от греческого глагола, который означает "прохаживаться"). С 2011 года пройтись по местам философской славы сможет любой турист, посещающий Афины.

 
 
 
Лента новостей
0
Сначала новыеСначала старые
loader
Онлайн
Заголовок открываемого материала
Чтобы участвовать в дискуссии,
авторизуйтесь или зарегистрируйтесь
loader
Обсуждения
Заголовок открываемого материала