Рейтинг@Mail.ru
Учебный год в школах Беслана в нынешнем году начнется 5 сентября - РИА Новости, 07.06.2008
Регистрация пройдена успешно!
Пожалуйста, перейдите по ссылке из письма, отправленного на

Учебный год в школах Беслана в нынешнем году начнется 5 сентября

Читать ria.ru в
Дзен
В Северной Осетии 1 - 3 сентября пройдут траурные мероприятия, посвященные второй годовщине теракта в Беслане. В эти дни к 1-й бесланской школе возложат цветы, а в помещении бывшего спортзала зажгут поминальные свечи.

ВЛАДИКАВКАЗ, 25 авг - РИА Новости, Владимир Иванов. Учебный год в школах Беслана начнется 5 сентября, сообщили РИА Новости в министерстве образования и науки Северной Осетии.

В министерстве пояснили, что торжественных собраний и линеек в школах проводиться не будет.

В Северной Осетии 1 - 3 сентября пройдут траурные мероприятия, посвященные второй годовщине теракта в Беслане. В эти дни к 1-й бесланской школе возложат цветы, а в помещении бывшего спортзала зажгут поминальные свечи. 3 сентября в 13.05 мск - время, когда в этот день 2004 года в спортзале прозвучал первый взрыв, в небо со школьного двора будет запущено 332 белых шара, по числу погибших в теракте детей и взрослых. В это же время в республике будет объявлена минута молчания.

3 сентября на бесланском мемориальном кладбище, где похоронены жертвы теракта, будет открыт памятник сотрудникам МЧС, спецподразделений "Альфа" и "Вымпел", погибших во время операции по освобождению заложников. Заупокойную панихиду отслужит епископ Ставропольский и Владикавказский Феофан.

В этот день на республиканском стадионе "Спартак" во Владикавказе состоится реквием по погибшим. В пресс-службе главы Северной Осетии сообщили, что участие в нем уже подтвердили многие российские деятели культуры, в их числе Валерий Гергиев, Никита Михалков, Армен Джигарханян, Иосиф Кобзон, Людмила Гурченко.

 
 
 
Лента новостей
0
Сначала новыеСначала старые
loader
Онлайн
Заголовок открываемого материала
Чтобы участвовать в дискуссии,
авторизуйтесь или зарегистрируйтесь
loader
Обсуждения
Заголовок открываемого материала