Рейтинг@Mail.ru
Продолжится процесс по делу сотрудников следственного изолятора - РИА Новости, 07.06.2008
Регистрация пройдена успешно!
Пожалуйста, перейдите по ссылке из письма, отправленного на

Продолжится процесс по делу сотрудников следственного изолятора

Читать ria.ru в
В Бабушкинском суде Москвы в пятницу после двухмесячного перерыва продолжится процесс по делу сотрудников Бутырского следственного изолятора Ханвара Кадырова и Константина Кистриня, охранявших сбежавшего из-под стражи подследственного.

МОСКВА, 14 окт - РИА Новости. В Бабушкинском суде Москвы в пятницу после двухмесячного перерыва продолжится процесс по делу сотрудников Бутырского следственного изолятора Ханвара Кадырова и Константина Кистриня, охранявших сбежавшего из-под стражи подследственного. Об этом РИА Новости сообщил адвокат одного из подсудимых Сергей Стома.

По словам защитника, ранее на предварительных слушаниях адвокаты просили суд изменить подсудимым арест на подписку о невыезде.

"Однако суд отказал в удовлетворении нашего ходатайства, мотивировав свое решение тем, что Кадыров и Кистринь обвиняются в тяжких преступлениях, максимальный срок за которые предусматривает до 10 лет лишения свободы", - сказал Стома.

Кроме того, суд отметил, что у подсудимых нет регистрации на территории Московской области. Кадыров прописан в Махачкале, а Кистринь - из Рязани.

Подследственный Кравченко 15 марта сбежал из палаты 20-й горбольницы, где его охраняли Кадыров и Кистринь. До ареста Кравченко находился в розыске по обвинению в грабеже и похищении людей.

Против конвоиров было возбуждено уголовное дело по части 1 статьи 285 (злоупотребление служебными полномочиями) УК РФ. Впоследствии действия сотрудников Бутырского СИЗО были переквалифицированы на часть 3 статьи 286 (превышение должностных полномочий с причинением тяжких последствий) УК РФ.

 
 
 
Лента новостей
0
Сначала новыеСначала старые
loader
Онлайн
Заголовок открываемого материала
Чтобы участвовать в дискуссии,
авторизуйтесь или зарегистрируйтесь
loader
Обсуждения
Заголовок открываемого материала