Рейтинг@Mail.ru
Замглавы МИД РФ и посол Японии в Москве обсудили вопросы подготовки российско-японской встречи на высшем уровне в начале 2003 года - РИА Новости, 05.06.2008
Регистрация пройдена успешно!
Пожалуйста, перейдите по ссылке из письма, отправленного на

Замглавы МИД РФ и посол Японии в Москве обсудили вопросы подготовки российско-японской встречи на высшем уровне в начале 2003 года

Читать ria.ru в
Дзен
Заместитель министра иностранных дел РФ Александр Лосюков осбудил в четверг с послом Японии в Москве Иссеем Номурой вопросы подготовки очередной российско-японской встречи на высшем уровне в ходе предстоящего официального визита премьер-министра Японии Дзюнъитиро Коидзуми в Россию в начале 2003 года. Как сообщили РИА "Новости" в департаменте информации и печати МИД РФ, в ходе встрече стороны подтвердили "обоюдную заинтересованность Москвы и Токио провести в ходе московского саммита насыщенный, предметный диалог, который заложил бы масштабные ориентиры для дальнейшего движения по всему комплексу двусторонних отношений". "Беседа прошла в теплой и дружественной атмосфере", - отметили в...
МОСКВА, 28 ноября. /Корр. РИА "Новости"/. Заместитель министра иностранных дел РФ Александр Лосюков осбудил в четверг с послом Японии в Москве Иссеем Номурой вопросы подготовки очередной российско-японской встречи на высшем уровне в ходе предстоящего официального визита премьер-министра Японии Дзюнъитиро Коидзуми в Россию в начале 2003 года.

Как сообщили РИА "Новости" в департаменте информации и печати МИД РФ, в ходе встрече стороны подтвердили "обоюдную заинтересованность Москвы и Токио провести в ходе московского саммита насыщенный, предметный диалог, который заложил бы масштабные ориентиры для дальнейшего движения по всему комплексу двусторонних отношений".

"Беседа прошла в теплой и дружественной атмосфере", - отметили в МИД.

 
 
 
Лента новостей
0
Сначала новыеСначала старые
loader
Онлайн
Заголовок открываемого материала
Чтобы участвовать в дискуссии,
авторизуйтесь или зарегистрируйтесь
loader
Обсуждения
Заголовок открываемого материала