Рейтинг@Mail.ru
Встреча глав МИД "четверки" по ближневосточному урегулированию состоится 16 июля в Нью-Йорке - РИА Новости, 05.06.2008
Регистрация пройдена успешно!
Пожалуйста, перейдите по ссылке из письма, отправленного на

Встреча глав МИД "четверки" по ближневосточному урегулированию состоится 16 июля в Нью-Йорке

Читать ria.ru в
Дзен
Встреча глав МИД "четверки" по ближневосточному урегулированию состоится 16 июля в Нью-Йорке. Как передает корреспондент РИА "Новости", об этом сообщил РИА "Новости" глава МИД РФ Игорь Иванов на совещании российских послов в Москве. Во встрече "четверки" примут участие Игорь Иванов, госсекретарь США Колин Пауэлл, а также представители Евросоюза и ООН. Игорь Иванов также не исключил возможности подключения к переговорам глав МИД некоторых арабских государств. Руководитель дипломатического ведомства России сказал также, что в ходе встречи его участники "намерены конкретизировать шаги, направленные на выход из кризиса". "Ситуация сложная - но если прервать диалог, то она сможет еще более обостриться", - подчеркнул...
МОСКВА, 12 июля. /Корр. РИА "Новости" Юрий Николаев/. Встреча глав МИД "четверки" по ближневосточному урегулированию состоится 16 июля в Нью-Йорке. Как передает корреспондент РИА "Новости", об этом сообщил РИА "Новости" глава МИД РФ Игорь Иванов на совещании российских послов в Москве.

Во встрече "четверки" примут участие Игорь Иванов, госсекретарь США Колин Пауэлл, а также представители Евросоюза и ООН.

Игорь Иванов также не исключил возможности подключения к переговорам глав МИД некоторых арабских государств.

Руководитель дипломатического ведомства России сказал также, что в ходе встречи его участники "намерены конкретизировать шаги, направленные на выход из кризиса".

"Ситуация сложная - но если прервать диалог, то она сможет еще более обостриться", - подчеркнул министр.

 
 
 
Лента новостей
0
Сначала новыеСначала старые
loader
Онлайн
Заголовок открываемого материала
Чтобы участвовать в дискуссии,
авторизуйтесь или зарегистрируйтесь
loader
Обсуждения
Заголовок открываемого материала