Рейтинг@Mail.ru
Министр обороны США Дональд Рамсфелд прибыл в Лондон - РИА Новости, 05.06.2008
Регистрация пройдена успешно!
Пожалуйста, перейдите по ссылке из письма, отправленного на

Министр обороны США Дональд Рамсфелд прибыл в Лондон

Читать ria.ru в
Дзен
Министр обороны США Дональд Рамсфелд прибыл в Лондон в среду утром, передает корреспондент РИА "Новости". Он встретится с премьер-министром Великобритании Тони Блэром и министром обороны Джеффри Хуном. В Лондоне начинается длительное зарубежное турне руководителя Пентагона, которое включает поездку в штаб-квартиру НАТО в Брюсселе, в Германию на авиабазу Гайленкирхен, где базируются экипажи НАТОвских самолетов системы раннего оповещения АВАКС, поездку в столицу Эстонии Таллин для встречи с министрами обороны стран Скандинавии и Балтии. Затем Рамсфелд направится в Индию и Пакистан с посреднической миссией для урегулирования индо-пакистанского конфликта. В турне министра обороны США также включено посещение трех ближневосточных стран - Катара, Бахрейна и...
ЛОНДОН, 5 июня. /Корр. РИА "Новости" Сергей Кудасов/. Министр обороны США Дональд Рамсфелд прибыл в Лондон в среду утром, передает корреспондент РИА "Новости".

Он встретится с премьер-министром Великобритании Тони Блэром и министром обороны Джеффри Хуном.

В Лондоне начинается длительное зарубежное турне руководителя Пентагона, которое включает поездку в штаб-квартиру НАТО в Брюсселе, в Германию на авиабазу Гайленкирхен, где базируются экипажи НАТОвских самолетов системы раннего оповещения АВАКС, поездку в столицу Эстонии Таллин для встречи с министрами обороны стран Скандинавии и Балтии. Затем Рамсфелд направится в Индию и Пакистан с посреднической миссией для урегулирования индо-пакистанского конфликта. В турне министра обороны США также включено посещение трех ближневосточных стран - Катара, Бахрейна и Кувейта.

 
 
 
Лента новостей
0
Сначала новыеСначала старые
loader
Онлайн
Заголовок открываемого материала
Чтобы участвовать в дискуссии,
авторизуйтесь или зарегистрируйтесь
loader
Обсуждения
Заголовок открываемого материала