Рейтинг@Mail.ru
Маск обозвал Каспарова* в ответ на критику мирного плана по Украине - РИА Новости, 25.10.2022
Регистрация пройдена успешно!
Пожалуйста, перейдите по ссылке из письма, отправленного на
Маск обозвал Каспарова* в ответ на критику мирного плана по Украине

Илон Маск ответил шахматисту Каспарову на критику мирного плана по Украине

© AP Photo / Patrick Pleul/Pool Глава компании Tesla Илон Маск
Глава компании Tesla Илон Маск - РИА Новости, 1920, 24.10.2022
Глава компании Tesla Илон Маск. Архивное фото
Читать ria.ru в
Дзен
МОСКВА, 24 окт — РИА Новости. Основатель Tesla и SpaceX Илон Маск выругался на Гарри Каспарова* после выпада шахматиста в его адрес из-за мирного плана по урегулированию украинского кризиса.
«
"Хотя это правда, что Каспаров играет в шахматы почти так же хорошо, как мой iPhone, в остальном он идиот", — написал Маск в твиттере.
Он также добавил, что не имеет дома или "особняка", и назвал шахматиста придурком.
В начале октября глава Tesla и основатель SpaceX Илон Маск писал, что сомневается в возможности победы Украины в случае полномасштабной войны с Россией, и призвал стороны к миру. Он предложил свое видение урегулирования конфликта. План предполагает "повторное голосование" в Донбассе "под наблюдением ООН", сохранение Крыма "формальной частью России, как это было с 1783 года (до ошибки Хрущева)", гарантии водоснабжения Крыма и нейтральный статус Украины.
Каспаров раскритиковал Маска за то, что тот "сидит в комфорте своих особняков в Силиконовой долине и рассказывает Украине, как вести свои дела", и обвинил его в "моральном идиотизме" и "геополитической слепоте".
* Физическое лицо, выполняющее функции иноагента в России.
Рабочий заклеивает портрет Илона Маска на билборде в Одессе, Украина - РИА Новости, 1920, 21.10.2022
В США заявили о планах Байдена уничтожить Маска после слов об Украине
 
 
 
Лента новостей
0
Сначала новыеСначала старые
loader
Онлайн
Заголовок открываемого материала
Чтобы участвовать в дискуссии,
авторизуйтесь или зарегистрируйтесь
loader
Обсуждения
Заголовок открываемого материала