Рейтинг@Mail.ru
На Гайдаровский форум приедут порядка 900 иностранных участников - РИА Новости, 14.01.2019
Регистрация пройдена успешно!
Пожалуйста, перейдите по ссылке из письма, отправленного на

На Гайдаровский форум приедут порядка 900 иностранных участников

© Фото : пресс-служба Гайдаровского форумаГайдаровский форум
Гайдаровский форум
Гайдаровский форум. Архивное фото
Читать ria.ru в
МОСКВА, 14 янв - РИА Новости. Порядка 900 иностранных участников примут участие в Гайдаровском форуме на этой неделе, всего же зарегистрировалось почти 17 тысяч человек, заявили в ходе пресс-конференции организаторы мероприятия.
Ректор РАНХиГС Владимир Мау отметил, что в числе этих девятисот будут и действующие иностранные политики.
Здание РАНХиГС
На Гайдаровском форуме в РАНХиГС эксперты обсудят ведение бизнеса в России
"Несмотря на все политические сложности, у нас немало действующих политиков. ... Сейчас у нас будет и действующий вице-премьер Сингапура, и министр экономики и финансов Италии, министр высшего образования и науки и инноваций Франции, представитель парламента Финляндии", - объяснил он.
Всего же, как отметил директор Гайдаровского форума, директор Ассоциации инновационных регионов России Иван Федотов, в этом году насчитывается беспрецедентное количество регистраций: "на сегодняшний день цифра - 16,975 тысячи человек".
"Я очень надеюсь, что все эти люди не придут", - пошутил он.
Гайдаровский форум состоится в Москве с 15 по 17 января. Организатором форума "Россия и мир: национальные цели развития и глобальные тренды" выступает Российская академия народного хозяйства и государственной службы при президенте РФ (РАНХиГС), Институт экономической политики им. Е.Т. Гайдара и Ассоциация инновационных регионов России. Агентство РИА Новости медиагруппы "Россия сегодня" выступает официальным информационным партнером форума.
 
 
 
Лента новостей
0
Сначала новыеСначала старые
loader
Онлайн
Заголовок открываемого материала
Чтобы участвовать в дискуссии,
авторизуйтесь или зарегистрируйтесь
loader
Обсуждения
Заголовок открываемого материала