Регистрация пройдена успешно!
Пожалуйста, перейдите по ссылке из письма, отправленного на
Супертег РИА Наука
РИА Наука

Ученые поняли, как управлять свойствами электроники будущего

© РИА Новости / Алексей Никольский / Перейти в фотобанкСборка микрочипов для модуля биполярного транзистора с изолированным затвором IGBT в опытно-экспериментальном цехе по производству мощных диодов и теристеров Саранского завода "Электровыпрямитель"
Сборка микрочипов для модуля биполярного транзистора с изолированным затвором IGBT в опытно-экспериментальном цехе по производству мощных диодов и теристеров Саранского завода Электровыпрямитель

МОСКВА, 19 июн – РИА новости. Международный научный коллектив с участием ведущего ученого Национального исследовательского технологического университета "МИСиС", профессора Готтхарда Сейферта научился управлять экситонными (лат. "excito" – "возбуждаю") эффектами в двумерных полупроводниках. Исследование, опубликованное в "Nature Physics" – важный шаг к созданию электроники с управляемыми свойствами. 

Рисунок молекулярной структуры дисульфида молибдена
Ученые "реабилитировали" двумерный материал для быстрых транзисторов
Изучение двумерных (двумерными называют системы, где электроны двигаются лишь по двум координатам) материалов – одна из самых актуальных задач для науки. Именно за открытие и исследование первого такого материала (графена) в 2010 году была вручена Нобелевская премия по физике.

Из-за своих свойств двумерные материалы выступают основой для элементов компактной электроники нового поколения. Например, двумерный дисульфид молибдена (MoS2) имеет высокую подвижность заряда и отношение "вкл/выкл" в транзисторном элементе – все это говорит о возможности серьезно повысить скорость работы электроники на его основе.

Печатная плата
Российские ученые создали наноструктуры, ускоряющие работу электроники
В 2017 году полноценное применение этого материала резко приблизилось с описанием механизма заращивания дефектов структурой MoS2, которое опубликовал в журнале "ACS Nano" профессор Готтхард Сейферт. А сами ученые продолжили изучать свойства двумерных материалов.

"Исключительные оптические свойства монослоев таких материалов, как дисульфид молибдена и диселенид вольфрама (WSe2), обусловлены экситонами: связанными парами электрон-дырка (квазичастица, выступающая носителем положительного заряда)", – рассказывает ведущий ученый НИТУ МИСиС, профессор Готтхард Сейферт.

© Иллюстрация РИА Новости / Алина ПолянинаЭкситоны в гетероструктурах Mos2/WSe2
Экситоны в гетероструктурах Mos2/WSe2
При этом создание гетероструктуры MoS2/WSe2 путем укладки отдельных монослоев друг на друга приводит к возникновению в ней экситона нового типа, где электрон и дырка пространственно разделены на разные слои. 

"Благодаря использованию методов спектроскопии и квантово-химических расчетов из первых принципов мы выявили частично-заряженную пару электрон-дырка в MoS2/WSe2, а также ее локализацию. Нам удалось контролировать энергию излучения этого нового экситона путем изменения относительной ориентации слоев", – поясняет новый результат Готтхард Сейферт.

Солнечные батареи
Физики создают солнечную батарею на основе графена и квантовых точек
Межслоевые экситоны дают особый оптический сигнал, отображающий то, что происходит при укладке слоев, и могут считаться идеальными для экспериментов квантовой электроники по контролю электронов в "долинах" (локальных минимумах зон проводимости) полупроводников. За счет помещения электрона в одну из таких "долин" должно происходить максимально эффективное кодирование информации.

По словам Сейферта, далее коллектив намерен исследовать, как именно вращение слоев влияет на электронные свойства материалов и того, что будет из них создаваться: элементов солнечных панелей, транзисторов и других устройств. 

Рекомендуем
Экс-президент Украины Леонид Кравчук
Кравчук назвал способы возвращения Украине Крыма и Донбасса
Лента новостей
0
Сначала новыеСначала старые
loader
Онлайн
Заголовок открываемого материала
Чтобы участвовать в дискуссии
авторизуйтесь или зарегистрируйтесь
loader
Чаты
Заголовок открываемого материала