Рейтинг@Mail.ru
МИД РФ: пребывание инструкторов США на Украине нарушает Минск-2 - РИА Новости, 02.03.2020
Регистрация пройдена успешно!
Пожалуйста, перейдите по ссылке из письма, отправленного на

МИД РФ: пребывание инструкторов США на Украине нарушает Минск-2

© РИА Новости / Владимир ПесняБрифинг официального представителя МИД России Марии Захаровой. Архивное фото
Брифинг официального представителя МИД России Марии Захаровой. Архивное фото
Читать ria.ru в
Обучение украинских курсантов не является пацифистским и не способствуют деэскалации и может негативно сказаться на и без того очень хрупком перемирии на юго-востоке Украины, заявила официальный представитель МИД РФ Мария Захарова.

МОСКВА, 26 ноя — РИА Новости. Пребывание инструкторов США на Украине нарушает минские соглашения и не способствует урегулированию конфликта в Донбассе, заявила официальный представитель МИД РФ Мария Захарова.

Американские военные инструкторы прибыли на Украину. Архивное фото
Минобороны Украины: инструкторы США начали готовить украинский спецназ
"Теперь американцы со своими коллегами по НАТО — литовцами и канадцами берутся обучить новую партию украинских курсантов. Речь идет уже о пяти батальонах. Очевидно, что подобные приготовления отнюдь не пацифистские, не способствуют деэскалации и могут негативно сказаться на и без того очень хрупком перемирии на юго-востоке страны", — сказала она на брифинге в четверг.

"Хотела бы отметить, что пребывание иностранных десантников и вооружения на украинской земле означает грубое нарушение Киевом Минского соглашения", — отметила официальный представитель МИД РФ.

По ее словам, в частности, был нарушен пункт 10, который предусматривает вывод всех иностранных формирований, военной техники, а также наемников с территории Украины под наблюдением ОБСЕ.

Режим тишины в Донбассе
Режим тишины в Донбассе
 
 
 
Лента новостей
0
Сначала новыеСначала старые
loader
Онлайн
Заголовок открываемого материала
Чтобы участвовать в дискуссии,
авторизуйтесь или зарегистрируйтесь
loader
Обсуждения
Заголовок открываемого материала