Рейтинг@Mail.ru
Глава программы МКС в НАСА покидает пост - РИА Новости, 06.08.2015
Регистрация пройдена успешно!
Пожалуйста, перейдите по ссылке из письма, отправленного на
Супертег Наука 2021январь
Наука

Глава программы МКС в НАСА покидает пост

Читать ria.ru в
Дзен
Преемником Майка Саффредини на посту станет Кирк Ширман, который с 2013 года является заместителем директора космического центра имени Джонсона в Хьюстоне (штат Техас).

ВАШИНГТОН, 6 авг — РИА Новости, Дмитрий Злодорев. Глава программы Международной космической станции (МКС) в НАСА Майк Саффредини покидает свой пост, сообщило в среду американское космическое ведомство.

Саффредини считается одним из наиболее уважаемых в США специалистов в космической отрасли. Он пришел на работу в аэрокосмическое агентство в 1989 году, а программу МКС в НАСА возглавил около 10 лет назад.

"За то время, пока Майк руководил программой, международный проект (МКС) успешно прошел завершение строительства и превратился в полноценно функционирующую микрогравитационную лабораторию", — заявил по этому поводу помощник директора НАСА Уильям Герстенмайер.

По его словам, "под руководством Саффредини перед станцией открылись новые возможности для использования в космосе и созданы новые платформы для прорывных исследований".

Преемником Саффредини на посту станет Кирк Ширман, который с 2013 года является заместителем директора космического центра имени Джонсона в Хьюстоне (штат Техас). "Кирк будет напрямую работать с международными партнерами по программе, чтобы обеспечить безопасную и надежную работу орбитальной лаборатории, а также ускорить научные исследования, которые принесут пользу человечеству и помогут подготовиться к миссии на Марс", — отметил Герстенмайер.

Ширман хорошо знаком с программой МКС. Согласно сообщению НАСА, с 2006 по 2013 годы он работал заместителем Саффредини.

 
 
 
Лента новостей
0
Сначала новыеСначала старые
loader
Онлайн
Заголовок открываемого материала
Чтобы участвовать в дискуссии,
авторизуйтесь или зарегистрируйтесь
loader
Обсуждения
Заголовок открываемого материала