НОВОСИБИРСК, 1 фев - РИА Новости, Мария Роговая. Сибирские ученые научились делать алмазные пленки толщиной 30 нанометров - на порядок тоньше, чем производят в Европе и США, сообщил завлабораторией Института физики полупроводников (ИФП) имени Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук Владимир Попов.
Ученый пояснил, что, чем меньше толщина материала микросхемы, тем меньше возникает паразитных эффектов и помех, ниже энергозатраты, поэтому пленка наноразмерной толщины - идеальная основа для микросхем. Например, кремниевые пленки толщиной до одного нанометра, разработанные в ИФП СО РАН, используют организации Росатома и Роскосмоса при создании приборов радиационно-стойкой электроники; институты РАН и РАМН пользуются ими в приборах наноэлектроники и биосенсорах.
Собеседник агентства уточнил, что сейчас алмазные пленки толщиной до 300 нанометров получают в нескольких лабораториях мира, но все их бесспорные плюсы перечеркиваются так называемыми остаточными дефектами, которые образуются при отделении пленки от кристалла.
"Мы нашли способ избежать появления дефектов на всех этапах процесса и сохранить исходную структуру синтетического кристалла, который выращивают наши коллеги из Института геологии и минералогии СО РАН", - пояснил Попов.
Использование квантовых оптических эффектов в алмазных микросхемах на порядки повысит объем вычислений компьютеров. Кроме того, алмазные микросхемы могут работать при температурах до плюс 800 градусов Цельсия, что, в частности, позволило бы создавать приборы прямого контроля и регулировки работы реактивных и других двигателей.
Ученый отметил, что когда появится технология, позволяющая делать микросхемы из самого твердого минерала на Земле, алмаз может вытеснить с рынка кремниевую микроэлектронику. Но для этого нужно вырастить кристалл с заданными свойствами, научиться отслаивать от него тончайшие пленки и встраивать в его кристаллическую структуру другие химические элементы (легировать), чтобы повысить его низкую электропроводность.
