ТОМСК, 17 ноя - РИА Новости, Элеонора Черная. Ученые Томского университета систем управления и радиоэлектроники (ТУСУР) разработали первый в мире нанотранзистор, применяемый в СВЧ-электронике, при производстве которого используются не драгоценные металлы, а соединение меди с германием, что значительно снижает себестоимость устройства, сообщил в четверг РИА Новости аспирант вуза Евгений Ерофеев.
"В настоящее время транзисторы выпускаются с металлизацией на основе драгметаллов, а мы предлагаем использовать соединения меди с германием, которое получается оригинальным способом. В этом и новизна. Мы подали заявку на изобретение, получили положительное решение, была экспертиза, которая подтвердила, что мировых аналогов нашего нанотранзистора нет", - сказал Ерофеев.
Он уточнил, что проект реализуется в научно-образовательном центре ТУСУР "Нанотехнологии". Ученый пояснил, что в настоящее время в производстве арсенид-галлиевых монолитных интегральных схем и транзисторов, на базе которых они создаются, используются платина, палладий, золото. Отказ от драгоценных металлов не только уменьшит себестоимость производства транзисторов, но и повысит их технические характеристики.
По информации пресс-службы вуза, испытания нанотранзистора прошли успешно, поэтому в 2012 году разработчики планируют создать на его основе технологию изготовления монолитной интегральной схемы и подать заявку на патент США. При этом разработка аспиранта ТУСУР является одним из направлений совместной работы университета и компании "Микран" в рамках проекта по созданию высокотехнологичного производства по постановлению Правительства РФ №218.
"После получения патента планируем сотрудничать и внедрять готовую технологию в производство с компанией "Микран", которая будет создавать в томской особой экономической зоне производство базовых станций 4G вместе с Nokia Siemens. Планируем через "Микран" коммерциализировать разработку", - пояснил Ерофеев.
Nokia Siemens Networks и ЗАО "Научно-производственная фирма "Микран" (резидент томской ОЭЗ) в сентябре подписали соглашение о создании совместного предприятия по производству в Томске первых в РФ базовых станций сетей мобильной связи четвертого поколения (4G) по технологии Long Term Evolution (LTE).
Научно-производственная фирма "Микран" создана 1991 году. Основными направлениями деятельности компании являются производство телекоммуникационной аппаратуры, контрольно-измерительной аппаратуры СВЧ-диапазона и аксессуаров СВЧ-тракта, радиолокационного оборудования, систем безопасности, монолитных интегральных GaAs функциональных элементов сантиметрового и миллиметрового диапазона.
